（来源：财闻）

随着AI和高性能计算对存储带宽需求持续增长，叠加海外巨头扩产节奏趋缓，国内存储厂商面临历史性替代机遇。

1月7日上午收盘，早盘沪指震荡拉升，创业板指冲高回落。沪深两市半日成交额1.84万亿，较上个交易日放量538亿。ETF方面，广发中证半导体材料设备ETF（560780）半日涨6.7%，成分股中，南大光电（300346.SZ）、芯源微（688037.SH）20cm涨停，安集科技（688019.SH）涨16.98%，珂玛科技（301611.SZ）涨11.94%，上海新阳（维权）（300236.SZ）涨11.71%，晶瑞电材（300655.SZ）涨11.62%，神工股份（688233.SH）涨11.05%。

消息面上，1月6日晚，北方华创（002371.SZ）披露，公司收到实际控制人北京电子控股有限责任公司（下称“北京电控”）通知，北京电控已收到北京市人民政府国有资产监督管理委员会（下称“北京市国资委”）出具的《批复》，北京市国资委同意北京电控以非公开协议转让方式向国新投资有限公司（下称“国新投资”）转让其所持北方华创1448.18万股股票，占上市公司总股本的2%，股份转让价格为426.39元/股。

此外，AMD在CES展会上发布了公司的MI455 GPU芯片，称基于该芯片的系统在性能指标上实现了巨大飞跃。SK海力士在CES上首次展示了容量为48GB的16层HBM4，这是其新一代高带宽内存（HBM）产品。该芯片是容量为36GB的12层HBM4的下一代产品，目前正根据客户的进度表进行同步开发。此外，今年将主导市场的容量为36GB的12层HBM3E也同步在展会上亮相。

受英伟达（NVDA.US）CEO黄仁勋在拉斯维加斯消费电子展上强调内存与存储需求的重要性相关消息，隔夜美股半导体概念股持续走高。有市场消息称，三星与海力士已向DRAM客户提出涨价，Q1报价将较去年Q4上涨60%-70%。

国内方面，国产DRAM产业迎来重要进展，长鑫存储科创板IPO已获受理，拟募集资金295亿元用于技术升级与前瞻研发。爱建证券认为，此次融资将加速其工艺平台向更高代际跃迁，并推动国产存储产业链整体发展。当前全球DRAM市场仍由韩美厂商主导，但国产厂商已在主流产品线上实现突破，长鑫存储已推出通过JEDEC认证的DDR5与LPDDR5X内存产品。随着AI和高性能计算对存储带宽需求持续增长，叠加海外巨头扩产节奏趋缓，国内存储厂商面临历史性替代机遇。

中国银河证券指出，2025年12月半导体板块在产业链涨价潮、AI需求持续以及国产替代逻辑强化的共同驱动下，走出一轮结构性行情。在外部环境背景下，供应链安全与自主可控是长期趋势。设备与材料在国产替代顶层设计下逻辑最硬，数字芯片是算力自主的核心载体，先进封测受益于技术升级。