【株洲讯】1月14日,株洲宏达电子股份有限公司(证券代码:300726,证券简称:宏达电子)发布第四届董事会第十二次会议决议公告,宣布其控股子公司湖南思微特科技有限公司(以下简称"思微特")将在无锡国家高新技术产业开发区投资建设特种器件晶圆制造封测基地,项目总投资预计达10亿元人民币,旨在拓展半导体芯片特种器件业务领域。
公告显示,该项目将分两期实施。一期工程计划自2026年至2028年投资3亿元,租用无锡市新吴区梅育路98号约1.04万平米厂房建设封测产线;二期工程将根据一期项目实际投资情况及市场发展状况择机推进,计划用地约30亩工业用地,总投资7亿元,主要建设半导体芯片流片线。
| 项目阶段 | 投资金额 | 实施周期/条件 | 建设内容 |
|---|---|---|---|
| 一期 | 3亿元 | 2026-2028年 | 租用1.04万平米厂房建设封测产线 |
| 二期 | 7亿元 | 根据一期进展及市场情况择机实施 | 规划30亩工业用地建设半导体芯片流片线 |
宏达电子表示,此次对外投资将有助于思微特在半导体芯片特种器件的研究、设计、生产及封测等业务领域的战略布局,进一步提升公司在相关领域的核心竞争力。
本次董事会会议于2026年1月14日以现场结合通讯表决方式召开,应到董事7人,实到7人,会议由董事长钟若农女士主持。《关于控股子公司对外投资的议案》获得全体董事一致通过,同意7票,反对0票,弃权0票。
公司同时披露,相关投资事项的具体内容详见同日于巨潮资讯网(http://www.cninfo.com.cn)发布的专项公告。
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