随着存储巨头们四季度财报的披露，一个清晰的信号正在释放：存储行业不仅走出了低谷，更在AI浪潮的推动下，开启了一轮强度罕见的“超级周期”。

据追风交易台消息，本周，美银美林团队总结了存储巨头财报电话会议的精华，并结合韩国半导体展（Semicon Korea）的一线见闻，指出当前市场正处于库存极低、价格飙升且资本开支大幅扩张的强劲上升期。

财报季“五大关键信号”

美银美林分析师Simon Woo团队在研报中提炼了存储企业四季度财报的五个核心信号，这些信号直接指向了供需关系的根本性逆转。

首先，库存水平已经降至“警戒线”以下。 以SK海力士为例，其库存周转天数已从2023年一季度的233天峰值，大幅下降至仅127天。更惊人的是，成品存储模组的库存仅能维持2-3周，而正常水平通常在10周以上。这意味着，一旦需求稍有波动，供应链将面临极大的缺货压力。

其次，产品平均售价（ASP）正在经历“暴力”修复。 三星电子的DRAM平均售价环比暴涨40%，SK海力士的NAND售价也环比上涨了32%。这种涨幅在成熟的半导体周期中并不多见。

第三，巨头们正在疯狂“烧钱”扩产。 面对AI带来的HBM（高带宽内存）需求井喷，厂商们开启了激进的资本开支计划。SK海力士的资本开支从2024年四季度的7万亿韩元，预计将激增至2025年三季度的12万亿韩元。

第四，HBM4量产执行力超预期。 三星和SK海力士在下一代HBM4的量产和出货方面进展顺利，这直接决定了未来在AI算力市场的份额。

最后，行业对未来的指引极度乐观。 这种乐观不仅针对2026年一季度，更指向长期的“存储超级周期”。南亚科技（Nanya Tech）总裁更是直言不讳地指出：

“由于AI的驱动，当前的周期比2017-18年的云服务器繁荣周期要好得多。”

他进一步解释道，与高度定制化的晶圆代工不同，存储器仍被视为大宗商品（遵循JEDEC标准），这意味着如果短缺持续到2027年，价格还有进一步上涨的空间。

美银的“存储指标”（Memory Indicator）也佐证了这一点。该指标在12月已回升至124的“上行周期”水平，而2025年上半年的平均值仅为103。

现货市场：价格高企，出口数据强劲

尽管近期DRAM现货价格保持稳定，但这建立在已经大幅上涨的基础之上。

目前，主流的16Gb DDR5现货价格维持在38美元的历史高位，同比涨幅高达709%；16Gb DDR4价格更是达到78美元，同比暴涨2445%。美银美林指出，DRAM价格已触及过去25年来的最高水平，远超2017年10月上一轮周期顶峰时的10美元区间。

虽然部分OEM厂商暗示，由于存储成本激增或短缺，低端智能手机、平板和PC的组装线出现了暂时停工，但这并未阻挡整体出货的强劲势头。

数据不会说谎。台湾地区1月份的销售数据表现强劲，南亚科技、威刚（ADATA）、创见（Transcend）和群联（Phison）等厂商的月度销售额环比增长超过20%，同比更是翻倍。韩国2月前10天的半导体出口额也同比激增138%。

值得注意的是，SSD（固态硬盘）产品价格本周大幅上涨，周环比涨幅达40%，月环比涨幅达60%，这反映出市场对下半年可能出现的短缺感到担忧。

韩国半导体展见闻：设备商的“盛宴”

美银美林团队实地探访了在首尔举办的韩国半导体展（Semicon Korea），现场的火爆程度印证了行业的景气度。

参展的设备供应商透露了几个关键信息：

巨头不仅是客户，更是“金主”： 三星和SK海力士创纪录的资本开支，让设备商们赚得盆满钵满。

HBM生产极其耗时： HBM的制造周期很长，特别是热压键合（TCB）环节。一台机器每天只能处理几片晶圆，因此要维持5万到10万片/月的产能，需要超过100台TCB设备。

技术路线的博弈： HBM混合键合（Hybrid Bonding）技术的采用可能会推迟，即使是16层或20层的HBM，厂商仍倾向于使用NCF（非导电薄膜）或MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）技术。

后端设备订单波动大但前景好： 虽然目前后端设备订单较弱，但随着HBM4产能爬坡以及未来HBM4e的推出，预计下半年或2027年将迎来复苏。

本文转载自“华尔街见闻”，作者：龙玥；智通财经编辑：王秋佳。