有研山东半导体、有研硅申请硅片喷砂工艺相关专利,高纯碳化硅喷砂工艺提升硅片处理效果
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2026-04-09 09:38:03
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4月9日消息,国家知识产权局信息显示,山东有研半导体材料有限公司、有研半导体硅材料股份公司申请一项名为“一种用于大直径硅片的高纯碳化硅喷砂处理工艺”的专利。申请公布号为CN121798517A,申请号为CN202512004102.1,申请公布日期为2026年4月7日,申请日期为2025年12月29日,发明人李广振、郑宇、安瑞阳、马振,专利代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司,专利代理师刘秀青,分类号B24C1/04、B24C3/12、B24C7/00、B24C3/08、B24C9/00、B24C5/04、B24C5/02、B24C3/32。

专利摘要显示,本发明公开了一种用于大直径硅片的高纯碳化硅喷砂处理工艺,所使用的碳化硅粉末纯度高于99.99%,粒径范围为2.0‑10.0μm;扫描电子显微镜下观察,碳化硅粉末外观形貌呈现尖锐的多棱角状;喷砂工艺为湿法喷砂,将碳化硅粉末和高纯水按照1‑3kg:30L比例配置砂浆,砂浆通过供液系统精准设定20‑50L/min的流速,喷枪连接高压气管,气压设定为20‑50PSI。本发明使用纯度较高的碳化硅粉末,能够避免喷砂材料导致硅片表面金属粘污风险。本发明使用的碳化硅粉末粒径小且粒径范围窄,能够避免产生过深的微裂纹或导致应力分布不均,降低硅片的机械强度的风险。本发明的碳化硅喷砂工艺能够提升硅片背面喷砂处理均匀性险,减小同硅片内不同位置的软损伤密度差异。

天眼查数据显示,山东有研半导体材料有限公司成立日期2018年8月23日,法定代表人张果虎,所属行业为非金属矿物制品业,企业规模为中型,注册资本200328.1126万人民币,实缴资本200328.1126万人民币,注册地址为山东省德州市天衢新区袁桥镇尚德八路3998号。山东有研半导体材料有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目378次,财产线索方面有商标信息0条,专利信息93条,拥有行政许可26个。

山东有研半导体材料有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种用于大直径硅片的高纯碳化硅喷砂处理工艺发明专利公布CN202512004102.12025-12-29CN121798517A2026-04-07李广振、郑宇、安瑞阳、马振
2一种用于硅晶圆双面研磨机自动上下料的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511926268.22025-12-19CN121608062A2026-03-06刘鹏亮、郑宇、安瑞阳、李广振
3一种用于大直径直拉高阻单晶的电阻率控制方法发明专利公布CN202511906887.52025-12-17CN121653836A2026-03-13魏广禹、李超、李钊、鲁强、李永博、崔维学、张果虎
4一种70μm直径金刚线切割8英寸硅棒的加工工艺发明专利公布CN202511873126.42025-12-12CN121733715A2026-03-27李攀、苏冰、周献朋、张果虎、王海涛、郑宇、王立军
5一种高品质SOI用硅衬底抛光片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510974564.32025-07-15CN120824193A2025-10-21王新、林霖、田凤阁、宁永铎、钟耕杭、张果虎、刘斌
6一种<111>晶向单晶硅等径阶段宽面稳定性的控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510599637.52025-05-09CN120330873A2025-07-18张欢、张鑫龙、徐相峰、张果虎
7一种薄片晶圆自动化剥离装置实用新型授权CN202520599238.42025-04-01CN223993875U2026-03-13段文瑶、赵江伟、马晓晨
8一种硅电极MC自动加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510216538.42025-02-26CN120043482A2025-05-27胡金海、朱秦发、张泽龙、杨卫国、张果虎
9一种大直径圆环形硅片测试封装用片盒实用新型授权CN202520186117.72025-02-06CN223736591U2025-12-30王雅慧、魏士迪、皇志威
10一种APCVD沉积过程颗粒物控制系统及其方法发明专利专利申请权、专利权的转移、授权、实质审查的生效、公布CN202411903052.X2024-12-23CN119710628B2025-09-02万关良、张麒
11一种硅单晶位错滑移线的检测方法发明专利授权CN202411891799.82024-12-20CN119780115B2025-12-12刘莉、张宏浩、江国兴、褚天宇、朱秦发、姜舰
12一种用于套圆加工的环抱型单晶硅棒吊装装置实用新型授权CN202423131559.62024-12-18CN223659613U2025-12-12皇志威、江国兴、褚天宇、蔡明
13一种多晶铸锭开方机硅料装卸装置实用新型授权CN202423116426.12024-12-17CN223617981U2025-12-02杨寿亮、赵延立、王开平
14一种用于硅渣浆过滤的三级洁净分离自平衡水箱结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411800101.72024-12-09CN119607707A2025-03-14赵延立、朱秦发、胡金海、张传振
15一种多设备同时滤除硅渣的组合过滤系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411800035.32024-12-09CN119633490A2025-03-18赵延立、朱秦发、张泽龙
16一种改善外延后边缘轮廓各向异形问题的衬底加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411790240.62024-12-06CN119710915A2025-03-28宁永铎、颜俊尧、纪新鹏、李钧宏
17一种用于MC第四旋转轴加工石英环的夹具装置实用新型授权CN202423010168.92024-12-06CN223656768U2025-12-12张泽龙、朱秦发、胡金海、杨卫国
18一种用于大直径直拉硅单晶的降温装置和方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411739449.X2024-11-29CN119615348A2025-03-14李超、魏广禹、李钊、鲁强、李永博
19一种用于硅单晶棒截断的浮动支撑装置实用新型授权CN202422935227.72024-11-29CN223657336U2025-12-12江国兴、赵振晖、刘莉
20一种用于单晶硅料粘接的单晶夹持起重装置实用新型授权CN202422903473.42024-11-27CN223659638U2025-12-12褚天宇、江国兴、皇志威、蔡明、王雅慧
21一种基于机器视觉的直拉单晶生长界面中轴轨迹监测系统与方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411657671.52024-11-19CN119593057A2025-03-11颜俊尧、宁永铎、谷锡猛
22一种抛光片背面边缘二氧化硅快速腐蚀的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411612013.42024-11-12CN120015620A2025-05-16杨先瑞、冯瑞琪、何宇、陈鲁锋、韩萍
23一种重掺红磷硅单晶的无位错收尾工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202411519282.62024-10-29CN119465376A2025-02-18王凯磊、李英涛、张宇、王万华、皮小争、方峰、崔彬
24一种有效去除12英寸硅衬底体内铜沾污的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411452746.62024-10-17CN119381245A2025-01-28王海涛、钟耕杭、李俊峰、张清洋、李磊、王明霞
25一种用于处理硅衬底激光打标损伤的方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202410516328.22024-04-25CN118380308A2024-07-23韩萍、何宇、郑捷、刘斌、钟耕杭、靳慧洁、蔡丽艳、王瑞英
26一种电容法测试超低阻红磷硅片电阻率的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410494803.02024-04-23CN118425615A2024-08-02韩萍、孙韫哲、靳慧洁、蔡丽艳、刘斌、王瑞英
27一种用于硅片贴片机下压气囊的充气密封结构实用新型授权CN202420723812.82024-04-09CN222146150U2024-12-10刘义、韩萍、李千振、姜振虎、赵勇、张西标、蔡丽艳、赵江伟、陈克强
28一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410032589.72024-01-08CN117862112B2025-06-20赵江伟、王新、韩佩鑫、田凤阁、陈克强、崔学军、黄书峰、王冠通
29一种用于硅单晶棒连续生产的直拉硅单晶炉副炉室及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311840508.82023-12-28CN117758352A2024-03-26宁永铎、李钧宏、颜俊尧、方峰
30一种防止P型直拉硅单晶头部电阻率虚高与反型的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311733108.72023-12-14CN117758356A2024-03-26崔维学、鲁强、李钊、李永博、魏广禹
31一种用于半导体晶棒切割的辅助校准装置实用新型授权CN202323231767.92023-11-28CN221223607U2024-06-25江国兴、赵振晖、张宏浩、杨寿亮、刘莉、朱秦发、姜舰
32一种用于圆环形单晶硅棒加工的固定装置实用新型授权CN202323116133.92023-11-17CN221212338U2024-06-25皇志威、褚天宇、蔡明、江国兴
33一种用于消除半导体抛光片表面色斑的装置与方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311498465.X2023-11-13CN117238752B2024-02-13颜俊尧、宁永铎、张健华、李钧宏、徐继平、边永智
34一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311485633.12023-11-08CN117568929A2024-02-20王凯磊、李英涛、王万华、皮小争、方峰、崔彬
35一种<111>晶向硅单晶小平面的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311312019.52023-10-11CN117517367A2024-02-06王学锋、张宏浩、朱晓彤、杨寿亮、刘莉、朱秦发
36一种大尺寸晶圆边缘的加工工艺发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310967112.32023-08-02CN117116740A2023-11-24王新、郑宇、何丙才、刘鹏亮、张亮、李广振、安瑞阳、姜伟
37一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310967122.72023-08-02CN116852183B2024-04-02何丙才、郑宇、韩萍、李广振、刘鹏亮、张亮、姜伟、田凤阁、陈克强、韩佩鑫
38一种适用于研磨晶圆的研磨液供液系统实用新型授权CN202321940879.92023-07-21CN220179060U2023-12-15郑宇、何丙才、刘鹏亮、李广振、张亮、姜伟、杨先瑞、陈鲁峰
39一种应用于12英寸硅片洗盒机清洗6英寸花篮的专用装置实用新型授权CN202321932299.52023-07-21CN220479658U2024-02-13赵晶、李千振、蒙德强、刘义、孙超
40一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310616131.12023-05-29CN116642914B2024-02-13王学锋、张宏浩、朱晓彤、杨寿亮、赵振辉、朱秦发
41直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211727056.82022-12-27CN116240621A2023-06-09张健华、张欢、连庆伟、宁永铎、方峰、徐继平、钟耕杭、朱晓彤、李钧宏、颜俊尧
42一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211601075.62022-12-14CN116103748A2023-05-12颜俊尧、李英涛、边永智、宁永铎、方峰、徐继平
43一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202211670509.82022-12-14CN116001120B2024-08-13褚天宇、蔡明、朱秦发、王学峰、李亚光、皇志威
44一种提高大直径单晶硅放肩稳定性的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211600313.12022-12-13CN116005250A2023-04-25崔维学、鲁强、李永博、李钊、盖晶虎
45一种重掺杂硅单晶放肩生长工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202211568782.X2022-12-05CN116145235A2023-05-23王万华、李英涛、王凯磊、皮小争、崔彬
46一种重掺砷硅单晶的放肩工艺发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202211553223.12022-12-02CN116219543A2023-06-06王凯磊、李英涛、王万华、皮小争、方峰、崔彬
47一种APCVD背封炉喷头的冷却装置及方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202211534901.X2022-12-02CN116219402A2023-06-06冯瑞琪、何宇、陈鲁锋、杨先瑞
48一种重掺红磷单晶炉管道清理的方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202211534968.32022-12-02CN116140302B2024-08-20皮小争、李英涛、王万华、王凯磊、崔彬、方峰
49一种用于硅单晶棒连续取样的装置实用新型授权CN202223072825.32022-11-18CN218928267U2023-04-28王学锋、赵振辉、江国兴、张宏浩、朱秦发
50一种用于半导体晶棒NOTCH槽的测量装置实用新型授权CN202223019847.32022-11-14CN218937222U2023-04-28江国兴、赵振晖、张宏浩、杨寿亮、王学峰、朱秦发

有研硅成立于2001年6月21日,于2022年11月10日在上海证券交易所上市,注册地址为北京市,办公地址也在北京市。它是国内领先的半导体材料企业,核心业务为半导体材料,具备全产业链优势,投资价值显著。

有研硅主营业务为半导体材料的研发、生产与销售,所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料,涉及中芯国际概念、集成电路、半导体材料概念等板块。

2025年,有研硅营业收入达10.05亿元,在行业8家企业中排名第4,高于行业平均数9.99亿元和中位数9.36亿元,第一名康强电子为21.99亿元,第二名天岳先进为14.65亿元。其主营业务中,半导体硅抛光片收入6.16亿元,占比61.30%;刻蚀设备用硅材料2.99亿元,占比29.74%等。净利润方面,2025年有研硅达2.46亿元,在行业中排名第1,高于行业平均数6396.21万元和中位数8627.95万元,第二名上海合晶为1.25亿元。

有研半导体硅材料股份公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种用于大直径硅片的高纯碳化硅喷砂处理工艺发明专利公布CN202512004102.12025-12-29CN121798517A2026-04-07李广振、郑宇、安瑞阳、马振
2一种用于硅晶圆双面研磨机自动上下料的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511926268.22025-12-19CN121608062A2026-03-06刘鹏亮、郑宇、安瑞阳、李广振
3一种用于大直径直拉高阻单晶的电阻率控制方法发明专利公布CN202511906887.52025-12-17CN121653836A2026-03-13魏广禹、李超、李钊、鲁强、李永博、崔维学、张果虎
4一种70μm直径金刚线切割8英寸硅棒的加工工艺发明专利公布CN202511873126.42025-12-12CN121733715A2026-03-27李攀、苏冰、周献朋、张果虎、王海涛、郑宇、王立军
5一种改善区熔单晶硅电阻率不均匀性的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511698804.82025-11-19CN121610893A2026-03-06尚锐刚、刘建涛、燕丁、李明飞
6一种用于区熔硅单晶生长的气相掺杂方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511521455.22025-10-23CN121321206A2026-01-13燕丁、尚锐刚、刘建涛、李明飞
7一种高品质SOI用硅衬底抛光片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510974564.32025-07-15CN120824193A2025-10-21王新、林霖、田凤阁、宁永铎、钟耕杭、张果虎、刘斌
8一种<111>晶向单晶硅等径阶段宽面稳定性的控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510599637.52025-05-09CN120330873A2025-07-18张欢、张鑫龙、徐相峰、张果虎
9一种薄片晶圆自动化剥离装置实用新型授权CN202520599238.42025-04-01CN223993875U2026-03-13段文瑶、赵江伟、马晓晨
10一种硅电极MC自动加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510216538.42025-02-26CN120043482A2025-05-27胡金海、朱秦发、张泽龙、杨卫国、张果虎
11一种大直径圆环形硅片测试封装用片盒实用新型授权CN202520186117.72025-02-06CN223736591U2025-12-30王雅慧、魏士迪、皇志威
12一种硅单晶位错滑移线的检测方法发明专利授权CN202411891799.82024-12-20CN119780115B2025-12-12刘莉、张宏浩、江国兴、褚天宇、朱秦发、姜舰
13一种用于套圆加工的环抱型单晶硅棒吊装装置实用新型授权CN202423131559.62024-12-18CN223659613U2025-12-12皇志威、江国兴、褚天宇、蔡明
14一种多晶铸锭开方机硅料装卸装置实用新型授权CN202423116426.12024-12-17CN223617981U2025-12-02杨寿亮、赵延立、王开平
15一种用于硅渣浆过滤的三级洁净分离自平衡水箱结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411800101.72024-12-09CN119607707A2025-03-14赵延立、朱秦发、胡金海、张传振
16一种多设备同时滤除硅渣的组合过滤系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411800035.32024-12-09CN119633490A2025-03-18赵延立、朱秦发、张泽龙
17一种改善外延后边缘轮廓各向异形问题的衬底加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411790240.62024-12-06CN119710915A2025-03-28宁永铎、颜俊尧、纪新鹏、李钧宏
18一种用于MC第四旋转轴加工石英环的夹具装置实用新型授权CN202423010168.92024-12-06CN223656768U2025-12-12张泽龙、朱秦发、胡金海、杨卫国
19一种用于大直径直拉硅单晶的降温装置和方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411739449.X2024-11-29CN119615348A2025-03-14李超、魏广禹、李钊、鲁强、李永博
20一种用于硅单晶棒截断的浮动支撑装置实用新型授权CN202422935227.72024-11-29CN223657336U2025-12-12江国兴、赵振晖、刘莉
21一种用于单晶硅料粘接的单晶夹持起重装置实用新型授权CN202422903473.42024-11-27CN223659638U2025-12-12褚天宇、江国兴、皇志威、蔡明、王雅慧
22一种用于区熔炉内轴稳定运行的连接装置发明专利实质审查的生效、公布CN202411658418.12024-11-19CN119593054A2025-03-11付斌
23一种基于机器视觉的直拉单晶生长界面中轴轨迹监测系统与方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411657671.52024-11-19CN119593057A2025-03-11颜俊尧、宁永铎、谷锡猛
24一种抛光片背面边缘二氧化硅快速腐蚀的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411612013.42024-11-12CN120015620A2025-05-16杨先瑞、冯瑞琪、何宇、陈鲁锋、韩萍
25一种用于区熔法提纯多晶硅的收尾工艺方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411520928.22024-10-29CN119411225A2025-02-11李明飞、尚锐刚、王永涛、刘建涛、付斌、闫志瑞
26一种重掺红磷硅单晶的无位错收尾工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202411519282.62024-10-29CN119465376A2025-02-18王凯磊、李英涛、张宇、王万华、皮小争、方峰、崔彬
27一种有效去除12英寸硅衬底体内铜沾污的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411452746.62024-10-17CN119381245A2025-01-28王海涛、钟耕杭、李俊峰、张清洋、李磊、王明霞
28一种用于处理硅衬底激光打标损伤的方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202410516328.22024-04-25CN118380308A2024-07-23韩萍、何宇、郑捷、刘斌、钟耕杭、靳慧洁、蔡丽艳、王瑞英
29一种电容法测试超低阻红磷硅片电阻率的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410494803.02024-04-23CN118425615A2024-08-02韩萍、孙韫哲、靳慧洁、蔡丽艳、刘斌、王瑞英
30一种用于硅片贴片机下压气囊的充气密封结构实用新型授权CN202420723812.82024-04-09CN222146150U2024-12-10刘义、韩萍、李千振、姜振虎、赵勇、张西标、蔡丽艳、赵江伟、陈克强
31一种半导体硅抛光片的去蜡清洗工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410032589.72024-01-08CN117862112B2025-06-20赵江伟、王新、韩佩鑫、田凤阁、陈克强、崔学军、黄书峰、王冠通
32一种用于硅单晶棒连续生产的直拉硅单晶炉副炉室及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311840508.82023-12-28CN117758352A2024-03-26宁永铎、李钧宏、颜俊尧、方峰
33一种区熔硅单晶自动生长的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311798703.92023-12-25CN117758351A2024-03-26王永涛、尚锐刚、刘建涛、李明飞、闫志瑞
34一种防止P型直拉硅单晶头部电阻率虚高与反型的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311733108.72023-12-14CN117758356A2024-03-26崔维学、鲁强、李钊、李永博、魏广禹
35一种区熔硅单晶全自动放肩方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311703905.02023-12-12CN117721523A2024-03-19尚锐刚、王永涛、刘建涛、李明飞
36一种用于半导体晶棒切割的辅助校准装置实用新型授权CN202323231767.92023-11-28CN221223607U2024-06-25江国兴、赵振晖、张宏浩、杨寿亮、刘莉、朱秦发、姜舰
37一种用于圆环形单晶硅棒加工的固定装置实用新型授权CN202323116133.92023-11-17CN221212338U2024-06-25皇志威、褚天宇、蔡明、江国兴
38一种用于消除半导体抛光片表面色斑的装置与方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311498465.X2023-11-13CN117238752B2024-02-13颜俊尧、宁永铎、张健华、李钧宏、徐继平、边永智
39一种重掺硅单晶电阻率精准控制的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311485633.12023-11-08CN117568929A2024-02-20王凯磊、李英涛、王万华、皮小争、方峰、崔彬
40一种<111>晶向硅单晶小平面的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311312019.52023-10-11CN117517367A2024-02-06王学锋、张宏浩、朱晓彤、杨寿亮、刘莉、朱秦发
41一种大尺寸晶圆边缘的加工工艺发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310967112.32023-08-02CN117116740A2023-11-24王新、郑宇、何丙才、刘鹏亮、张亮、李广振、安瑞阳、姜伟
42一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310967122.72023-08-02CN116852183B2024-04-02何丙才、郑宇、韩萍、李广振、刘鹏亮、张亮、姜伟、田凤阁、陈克强、韩佩鑫
43一种适用于研磨晶圆的研磨液供液系统实用新型授权CN202321940879.92023-07-21CN220179060U2023-12-15郑宇、何丙才、刘鹏亮、李广振、张亮、姜伟、杨先瑞、陈鲁峰
44一种应用于12英寸硅片洗盒机清洗6英寸花篮的专用装置实用新型授权CN202321932299.52023-07-21CN220479658U2024-02-13赵晶、李千振、蒙德强、刘义、孙超
45一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310616131.12023-05-29CN116642914B2024-02-13王学锋、张宏浩、朱晓彤、杨寿亮、赵振辉、朱秦发
46直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211727056.82022-12-27CN116240621A2023-06-09张健华、张欢、连庆伟、宁永铎、方峰、徐继平、钟耕杭、朱晓彤、李钧宏、颜俊尧
47一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211601075.62022-12-14CN116103748A2023-05-12颜俊尧、李英涛、边永智、宁永铎、方峰、徐继平
48一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202211670509.82022-12-14CN116001120B2024-08-13褚天宇、蔡明、朱秦发、王学峰、李亚光、皇志威
49一种提高大直径单晶硅放肩稳定性的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211600313.12022-12-13CN116005250A2023-04-25崔维学、鲁强、李永博、李钊、盖晶虎
50一种区熔硅单晶的分段式转肩方法发明专利实质审查的生效、公布CN202211559984.82022-12-06CN116065227A2023-05-05尚锐刚、王永涛、刘建涛、李明飞、闫志瑞、高源、聂飞

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