（来源：上观新闻）

近日，苏州汉骅半导体有限公司基于8寸硅基氮化镓（GaN）LED外延技术与自主无损去硅工艺，在“超越摩尔 GaN Plus”平台上，成功建成与8寸CMOS半导体工艺高度兼容的Micro-LED标准工艺量产平台，全面贯通氮化镓外延、无损去硅、薄膜集成至CMOS工艺、微显示器件全流程链路，突破Micro-LED产业化核心技术瓶颈，为AR/VR等近眼显示规模化应用奠定关键基础。

氮化镓作为第三代半导体核心材料，是Micro-LED微显示技术的关键支撑。但氮化镓发光单元与硅基CMOS驱动电路的高效集成难题，长期制约AR/VR等近眼显示产品商业化进程，其本质是不同材料体系间的三维异构集成技术壁垒。

汉骅半导体此次建成的8寸标准工艺平台，核心突破在于打通材料与工艺的“异构集成”通道。依托自主研发的晶圆级无损去硅技术，团队实现8寸硅片上氮化镓薄膜完整剥离与精准转移，工艺窗口全面对标主流8寸CMOS产线标准，实现发光阵列与驱动芯片的晶圆级键合及协同制造。早在2025年，公司已实现3.75微米间距混合键合量产，键合成品率超95%，为高密度微显示阵列规模化制造提供核心工艺保障。

目前，该平台已具备红、蓝、绿多波长发光结构工艺能力，可支撑超高像素密度微显示阵列制备，满足近眼显示、光互联、数字车灯、AI电源管理等前沿应用核心器件需求。平台面向产业开放代工与联合开发服务，提供类半导体工艺设计套件（PDK）标准化接口，覆盖设计、验证至量产全环节协同创新。

作为长三角国创中心首个“拨投结合”模式支持的重大项目，汉骅半导体自2017年深耕异质异构集成领域，拥有国内唯一“GaN Plus 3DIC”全流程工艺平台。此次8寸硅基氮化镓Micro-LED标准工艺平台落地，不仅为国内化合物半导体与集成电路异质集成提供可复制技术路径，更契合后摩尔时代系统级集成发展方向，为下一代人机交互终端关键部件国产化筑牢工艺根基。

未来，该平台将持续向更高像素密度、更小像素尺寸迭代，探索多波长外延与色转换融合的全色方案，进一步推动Micro-LED在消费电子、车载显示、特种应用等领域规模化落地。

原标题：《攻克异质异构三维集成瓶颈，Micro-LED光电整合标准工艺平台建成》

栏目主编：何易 文字编辑：顾洋

来源：作者：文汇报 芮锡培