应能微电子申请双向TVS管相关专利，导通调制埋层降低电阻提高浪涌承载能力_全局洞察

应能微电子申请双向TVS管相关专利，导通调制埋层降低电阻提高浪涌承载能力

创始人

2026-05-08 11:37:09

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5月8日消息，国家知识产权局信息显示，江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器”的专利。申请公布号为CN121985590A，申请号为CN202610461489.5，申请公布日期为2026年5月5日，申请日期为2026年4月9日，发明人朱伟东、赵泊然，专利代理机构无锡市兴为专利代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师屠志力，分类号H10D89/60、H10D62/10。

专利摘要显示，本发明提供一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器，包括：重掺杂第一导电类型半导体衬底；设置于衬底上的第一外延层；设置于所述第一外延层上的导通调制埋层；设置于所述导通调制埋层上的第二外延层；设置于所述第二外延层上的重掺杂第一导电类型区；设置于重掺杂第一导电类型区正面的第一电极和设置于衬底背面的第二电极；所述导通调制埋层设置于双外延体区内部，并被配置为在瞬态大电流冲击条件下形成载流子高浓度电导调制区域，在所述第一外延层与第二外延层之间构成体区主导的导通路径，使导通电流由PN结局部区域集中导通转变为在体区范围内横向扩展并形成面状分布的整体导通模式，从而降低器件动态电阻并提高器件浪涌承载能力。

天眼查数据显示，江苏应能微电子股份有限公司成立日期2012年3月22日，法定代表人ZHU PHILLIP WEIDONG，所属行业为研究和试验发展，企业规模为小型，注册资本4286.5339万人民币，实缴资本2089.1564万人民币，注册地址为常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）。江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息115条，拥有行政许可11个。

江苏应能微电子股份有限公司近期专利情况如下：

序号	专利名称	专利类型	法律状态	申请号	申请日期	公开(公告)号	公开(公告)日期	发明人
1	一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器	发明专利	公布	CN202610461489.5	2026-04-09	CN121985590A	2026-05-05	朱伟东、赵泊然
2	一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法	发明专利	公布	CN202610352324.4	2026-03-23	CN121925156A	2026-04-24	朱伟东、赵泊然
3	纵向SCR型瞬态过压保护器件	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202610313890.4	2026-03-16	CN121888620A	2026-04-17	朱伟东、赵泊然
4	一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法	发明专利	公布	CN202610296786.9	2026-03-12	CN121843143A	2026-04-10	朱伟东、赵泊然
5	一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202511876860.6	2025-12-12	CN121728802A	2026-03-24	李振道、孙明光、朱伟东
6	用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件	发明专利	授权	CN202511309274.3	2025-09-15	CN120812966B	2025-11-18	朱伟东、赵泊然
7	一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510796831.2	2025-06-16	CN120321986A	2025-07-15	李振道、孙明光、朱伟东
8	一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510774266.X	2025-06-11	CN120282541B	2025-08-26	李振道、孙明光、朱伟东
9	用于防护雷击的压敏电阻夹层模组集成结构	发明专利	授权	CN202510592406.1	2025-05-09	CN120417465B	2026-02-17	朱伟东、赵泊然
10	一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法	发明专利	授权、公布	CN202411329890.0	2024-09-24	CN118841450B	2024-12-17	孙明光、李振道、朱伟东
11	一种自适应超结LDMOS结构	发明专利	授权、公布	CN202411081577.X	2024-08-08	CN118782654B	2025-04-08	孙明光、李振道、朱伟东
12	一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件	发明专利	授权、公布	CN202410982344.0	2024-07-22	CN118522769B	2024-10-01	朱伟东、赵泊然
13	用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件与工艺	发明专利	授权、公布	CN202410718845.8	2024-06-05	CN118299408B	2024-08-02	朱伟东、赵泊然
14	用于ESD防护的双模灵敏检测瞬态触发电路	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202410480761.5	2024-04-22	CN118074085A	2024-05-24	朱伟东、赵泊然
15	一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202410239174.7	2024-03-04	CN117832093B	2024-05-10	李振道、孙明光、朱伟东
16	一种自适应超结沟槽式MOSFET器件及其制备方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202311401481.2	2023-10-26	CN117133791B	2024-01-26	孙明光、李振道、朱伟东
17	双齐纳阱SCR器件、制造工艺及其堆叠结构	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202311282644.X	2023-10-07	CN117038720B	2024-01-26	朱伟东、赵泊然
18	具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202311083616.5	2023-08-28	CN116799070B	2023-11-17	孙明光、李振道、朱伟东
19	一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202311076280.X	2023-08-25	CN116825850B	2023-11-17	孙明光、李振道、朱伟东
20	开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310912685.6	2023-07-25	CN116647098B	2023-10-03	李征、赵泊然、朱伟东
21	一种超低电容双向SCR-TVS器件	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202310862496.2	2023-07-14	CN116598309A	2023-08-15	朱伟东、赵泊然
22	一种垂直型双向SCR低电容TVS器件	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310862502.4	2023-07-14	CN116581122B	2023-09-12	朱伟东、赵泊然
23	具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310816523.2	2023-07-05	CN116525663B	2023-09-12	李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然
24	一种三维超结LDMOS结构及其制作方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202310793099.4	2023-06-30	CN116525655A	2023-08-01	孙明光、李振道、朱伟东、赵泊然
25	加强型屏蔽闸沟槽式功率金氧半场效晶体管	实用新型	授权	CN202321650322.1	2023-06-27	CN220106545U	2023-11-28	李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然
26	电机转子角度信息识别方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202310670645.5	2023-06-08	CN116404916A	2023-07-07	曹元、朱伟东、吴琦
27	内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310594164.0	2023-05-25	CN116314341B	2023-08-08	朱伟东、赵泊然、李振道、孙明光
28	一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310540946.6	2023-05-15	CN116259544B	2023-08-08	李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然
29	开关变换器控制电路、控制方法及电源设备	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310524618.7	2023-05-11	CN116247908B	2023-07-28	李征、赵泊然、朱伟东
30	电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310505858.2	2023-05-08	CN116247933B	2023-07-25	李征、赵泊然、朱伟东
31	一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202310385852.6	2023-04-12	CN116110944A	2023-05-12	朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道
32	一种低寄生电容焊盘	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202310385849.4	2023-04-12	CN116110872A	2023-05-12	朱伟东、赵泊然
33	一种栅控Resurf高压LDMOS结构	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310376829.0	2023-04-11	CN116110955B	2023-06-27	朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道
34	一种分段式分离栅SGTMOSFET结构	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310381286.1	2023-04-11	CN116093146B	2024-02-20	朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道
35	具有高维持电压的低电容双向SCR瞬态抑制器件	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202310371412.5	2023-04-10	CN116093153B	2023-07-21	朱伟东、赵泊然
36	一种电压钳位组合器件	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202310343608.3	2023-04-03	CN116093912A	2023-05-09	朱伟东、赵泊然
37	碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法	发明专利	授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布	CN202211118851.7	2022-09-15	CN115440822B	2023-08-22	李振道、孙明光
38	碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法	发明专利	授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布	CN202211081391.5	2022-09-06	CN115172457B	2024-05-03	李振道、孙明光
39	具有高维持电压的瞬态电压抑制保护器件及静电放电电路	发明专利	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布	CN202210098666.X	2022-01-27	CN114121944B	2022-05-17	朱伟东、赵泊然
40	具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构	发明专利	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布	CN202210098555.9	2022-01-27	CN114121943B	2022-05-17	朱伟东、赵泊然
41	降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构	实用新型	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权	CN202220184870.9	2022-01-24	CN216648324U	2022-05-31	朱伟东、赵泊然、王晓荣
42	一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件	发明专利	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布	CN202111325282.9	2021-11-10	CN113764406B	2022-03-01	朱伟东、赵泊然
43	具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法	发明专利	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布	CN202111281199.6	2021-11-01	CN113725213B	2022-03-01	朱伟东、赵泊然
44	一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法	发明专利	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布	CN202111122643.X	2021-09-24	CN113571421B	2021-12-24	李振道、孙明光、朱伟东
45	具有网格状阴阳极沟槽结构的瞬态电压抑制保护器件	发明专利	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布	CN202111047867.9	2021-09-08	CN113488464B	2021-12-07	朱伟东、赵泊然
46	沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件	发明专利	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布	CN202111047854.1	2021-09-08	CN113497032B	2022-01-25	朱伟东、赵泊然
47	降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法	发明专利	发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布	CN202110964535.0	2021-08-23	CN113410311A	2021-09-17	朱伟东、赵泊然、王晓荣
48	双向高压瞬态电压抑制器的结构及其制作方法	发明专利	发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布	CN202110964546.9	2021-08-23	CN113421930A	2021-09-21	朱伟东、赵泊然、陈德朋
49	具有开路失效功能的瞬态电压抑制二极管结构及电路结构	实用新型	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权	CN202121914071.4	2021-08-16	CN215644511U	2022-01-25	朱伟东、赵泊然、朱九花
50	集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构	发明专利	专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布	CN202110919920.3	2021-08-11	CN113380786B	2021-11-16	朱伟东、赵泊然

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