中微公司申请射频脉冲装置相关专利，产生射频脉冲信号并同步调参实现阻抗匹配_全局洞察

中微公司申请射频脉冲装置相关专利，产生射频脉冲信号并同步调参实现阻抗匹配

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2026-07-04 09:27:49

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7月4日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种射频脉冲功率发生方法、装置及等离子体刻蚀机台”的专利。申请公布号为CN122337969A，申请号为CN202411998625.1，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2024年12月31日，发明人倪图强、刘依，专利代理机构北京市盈科律师事务所，专利代理师张晶，分类号H01J37/32、H10P72/00。

专利摘要显示，本发明公开了一种射频脉冲功率发生方法、装置及等离子体刻蚀机台，射频脉冲功率发生方法，包括：产生直流脉冲信号，所述直流脉冲信号至少包括第一直流脉冲信号和第二直流脉冲信号；提供高压直流信号，并根据直流脉冲信号对高压直流信号进行调制，得到高压直流脉冲信号；根据直流脉冲信号产生连续的射频信号，在直流脉冲信号的脉冲峰值和脉冲间隔产生的射频信号的幅值不同；输出高压直流脉冲信号和射频信号叠加后的射频脉冲信号或未叠加的高压直流脉冲信号和射频信号，针对高压直流脉冲信号在激发等离子体时产生的不同阻抗状态，对射频发生器的输出功率或者输出频率进行同步快速调整，达到阻抗匹配、降低反射功率的目的。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62691.781万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目88次，财产线索方面有商标信息114条，专利信息1733条，拥有行政许可88个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号	专利名称	专利类型	法律状态	申请号	申请日期	公开(公告)号	公开(公告)日期	发明人
1	一种射频功率供应系统	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202511924458.0	2025-12-18	CN121879506A	2026-04-17	倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰
2	一种工艺顶盖及气相沉积设备	实用新型	授权	CN202521979639.9	2025-09-15	CN223458392U	2025-10-21	刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平
3	晶圆托盘	外观专利	授权	CN202530511724.1	2025-08-28	CN309976984S	2026-05-12	代宇通、汪国元、黄稳、姜勇
4	聚焦环	外观专利	授权	CN202530468204.7	2025-08-08	CN310024085S	2026-06-09	范光伟、周艳
5	聚焦环	外观专利	授权	CN202530468218.9	2025-08-08	CN310024087S	2026-06-09	范光伟、周艳
6	聚焦环	外观专利	授权	CN202530468041.2	2025-08-08	CN310024084S	2026-06-09	范光伟、周艳
7	气体喷淋头	外观专利	授权	CN202530466397.2	2025-08-07	CN309910861S	2026-04-10	孟可、周艳、李开元
8	气体喷淋头	外观专利	授权	CN202530466450.9	2025-08-07	CN309910862S	2026-04-10	朱永成
9	气体喷淋头	外观专利	授权	CN202530466394.9	2025-08-07	CN309910860S	2026-04-10	周艳、李开元
10	接地环	外观专利	授权	CN202530466452.8	2025-08-07	CN310024083S	2026-06-09	周艳、李开元
11	一种气相沉积装置	实用新型	授权	CN202521091304.3	2025-05-29	CN224337694U	2026-06-09	何伟业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊
12	一种聚焦环功率调节组件	实用新型	授权	CN202520964307.7	2025-05-15	CN224342273U	2026-06-09	田宁、叶如彬、范光伟
13	一种等离子体处理装置及其约束环组件	实用新型	授权	CN202520892625.7	2025-05-07	CN224342272U	2026-06-09	叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁
14	一种真空吸盘、基座组件和薄膜沉积装置	实用新型	授权	CN202520892567.8	2025-05-07	CN224350749U	2026-06-12	董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远
15	一种金属钛层的沉积工艺	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510559967.1	2025-04-29	CN122214841A	2026-06-16	沈成绪、许灿
16	反应腔、高深宽比结构及其形成方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510550377.2	2025-04-28	CN120072612B	2025-07-25	尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强
17	基片托盘	外观专利	授权	CN202530230568.1	2025-04-25	CN309730273S	2026-01-09	陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
18	基片托盘	外观专利	授权	CN202530230569.6	2025-04-25	CN309730274S	2026-01-09	陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
19	环组件及外延生长设备	实用新型	授权	CN202520811017.9	2025-04-25	CN224337799U	2026-06-09	张辉、姜银鑫、陆顺开
20	一种下电极组件及等离子体处理设备	实用新型	授权	CN202520786770.7	2025-04-23	CN224342271U	2026-06-09	叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可
21	一种半导体处理设备及其气体喷淋头	实用新型	授权	CN202520786902.6	2025-04-23	CN224343720U	2026-06-09	程程、李雪子
22	电磁线圈组件及半导体加工设备	实用新型	授权	CN202520763154.X	2025-04-21	CN224232426U	2026-05-12	王亚军、周国祥
23	一种磁控管组件及磁控溅射设备	实用新型	授权	CN202520736456.8	2025-04-17	CN224337693U	2026-06-09	刘畅、刘恺民、王能语
24	一种基片处理系统	实用新型	授权	CN202520716379.X	2025-04-15	CN224267209U	2026-05-22	徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星
25	一种气相沉积设备及半导体处理系统	发明专利	公布	CN202510444720.5	2025-04-09	CN120830094A	2025-10-24	尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅
26	一种升降驱动组件和半导体工艺设备	实用新型	授权	CN202520618963.1	2025-04-02	CN224020732U	2026-03-20	李琳、王许、朱永成、周艳
27	下电极组件及等离子体处理设备	实用新型	授权	CN202520539349.6	2025-03-25	CN224123342U	2026-04-14	田宁、叶如彬、范光伟
28	一种掩膜结构形成方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510293724.8	2025-03-12	CN121496378A	2026-02-10	罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海
29	掩膜结构及其形成方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510293826.X	2025-03-12	CN121496322A	2026-02-10	罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海
30	一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202510293764.2	2025-03-12	CN121496321A	2026-02-10	尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙
31	等离子体约束结构及等离子体处理设备	实用新型	授权	CN202520402185.2	2025-03-07	CN224232637U	2026-05-12	叶如彬、马越、王洪青、范光伟
32	一种环组件及成膜装置	实用新型	授权	CN202520251908.3	2025-02-17	CN223780392U	2026-01-09	郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟
33	一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510165658.6	2025-02-14	CN119673741B	2025-05-30	叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟
34	一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备	实用新型	授权	CN202520210442.2	2025-02-10	CN222637222U	2025-03-18	卢明、李博睿、倪图强
35	一种半导体加工设备及其控制方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510147729.X	2025-02-10	CN119601451B	2025-05-09	李博睿、卢明、倪图强
36	一种化学气相沉积装置	实用新型	授权	CN202520172387.2	2025-01-24	CN223780352U	2026-01-09	杜冰洁、路今、姜银鑫
37	一种基座及化学气相沉积设备	实用新型	授权	CN202520166280.7	2025-01-23	CN224001504U	2026-03-17	梁轩、徐立、吕术亮
38	一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法	发明专利	授权、实质审查的生效、公布	CN202510098695.X	2025-01-21	CN119517722B	2025-05-13	田宁、叶如彬
39	一种隔离结构及化学气相沉积装置	实用新型	授权	CN202520123428.9	2025-01-17	CN223780362U	2026-01-09	黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开
40	缓冲装置	实用新型	授权	CN202520107111.6	2025-01-16	CN223780359U	2026-01-09	杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业
41	一种化学气相沉积装置	发明专利	授权	CN202510073813.1	2025-01-16	CN119932527B	2026-04-10	张辉、姜银鑫、姜勇
42	一种化学气相沉积装置	实用新型	授权	CN202520086318.X	2025-01-14	CN223780351U	2026-01-09	陆顺开、周子琛、张辉
43	一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法	发明专利	实质审查的生效、公布	CN202411976013.2	2024-12-31	CN119374033A	2025-01-28	徐志鹏、倪图强、连增迪
44	化学气相沉积设备	实用新型	授权	CN202423319091.3	2024-12-31	CN223780363U	2026-01-09	朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远
45	一种晶圆承载组件及半导体处理设备	实用新型	授权	CN202423320135.4	2024-12-31	CN223899675U	2026-02-10	陈星棋
46	一种等离子体处理设备及方法	发明专利	公布	CN202411998363.9	2024-12-31	CN122314725A	2026-06-30	倪图强、王洪青
47	一种空穴注入层、发光二极管及其制作方法	发明专利	公布	CN202411996572.X	2024-12-31	CN122318413A	2026-06-30	陶章峰、胡建正、马妮、郭世平、姜勇
48	一种基片的低温刻蚀方法	发明专利	公布	CN202411998119.2	2024-12-31	CN122341085A	2026-07-03	魏跃、张凯、朱子琦、邵志平、徐伟娜
49	一种半导体处理设备	发明专利	公布	CN202411998399.7	2024-12-31	CN122341108A	2026-07-03	龚岳俊、李雪子
50	一种射频脉冲功率发生方法、装置及等离子体刻蚀机台	发明专利	公布	CN202411998625.1	2024-12-31	CN122337969A	2026-07-03	倪图强、刘依

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