群智咨询发布2026年三季度Memory价格风向标。2026年第三季度，全球Memory市场整体供需依旧紧缺，DRAM、NAND 全品类价格维持环比上行。但相较于二季度的大幅上涨行情，本季度涨价幅度明显放缓，环比涨幅显著收敛，市场结构性分化进一步加剧。核心逻辑在于持续走高的内存颗粒价格大幅抬升终端BOM成本，终端厂商对高价接受度下降，终端客户出现暂缓拉货的现象，推动供应端收窄Q3涨价幅度。

基于群智咨询数据分析，本季度细分市场走势如下：

DRAM：价格延续上行，终端备货放缓，消费级品类涨势大幅收窄

2026Q3 DRAM市场继续维持涨价态势，但下游接受度分化明显。根据群智咨询的数据显示，以16GB DDR4 为例，环比上涨 16%。原厂仍有推价意愿，但 PC 终端受 BOM 压力影响，整机厂采购趋于保守，DDR 单价进一步上涨动能被削弱。

移动端 LPDDR 涨势受终端备货放缓影响更为突出，根据群智咨询的数据，LPDDR4X(4GB)环比上涨 7%；高端 LPDDR5X(12GB)环比仅上涨 3%。此前多轮涨价已经大幅抬高手机整机成本，手机品牌对存储报价接受度低，主动控制备货，仅保留高端旗舰机型刚需订单。叠加现货渠道部分贸易商获利清盘低价出货，进一步约束移动 DRAM 的上行空间。

整体来看，群智咨询认为三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI 算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。

NAND Flash：SSD 涨幅较为坚挺，移动端受终端控成本影响，涨价弹性走弱

2026Q3 NAND Flash 价格延续环比抬升，群智咨询数据显示，512GB PCIe4.0 SSD 本季度环比涨幅 14%，企业级相关需求提供一定支撑，不过消费 PC 客户涨价接受度下降，采购备货意愿亦同步收缩。

特别是移动端存储涨势明显受限，根据群智咨询数据，256GB UFS3.1 环比上涨 11%。手机终端 BOM 成本压力高企，品牌方主动减少备货量；部分现货商前期获利后选择低价清仓出货，现货价格松动，制约移动端 NAND 继续大幅涨价。尽管高端手机存储配置没有降级，但高价抑制终端采购规模。

总体而言，2026年Q3存储市场依旧处在上行周期，但上半年价格快速大幅拉升使得三季度存储市场进入“供应与需求互相博弈、涨幅收敛”的新阶段。