东芯半导体取得存储器装置相关专利,该存储器装置可高效完成数据写入操作
创始人
2026-08-22 09:25:10
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8月22日消息,国家知识产权局信息显示,东芯半导体股份有限公司申请一项名为“存储器装置及其数据操作方法”的专利,授权公告号CN117435140B,授权公告日为2026年8月21日。申请公布号为CN117435140A,申请号为CN202311439982.X,申请公布日期为2026年8月21日,申请日期为2023年10月31日,发明人胡杰,专利代理机构上海专利商标事务所有限公司,专利代理师熊风,分类号G06F3/06。

专利摘要显示,公开了一种存储器装置及其数据操作方法。存储器装置包括存储器阵列、数据端子模块、输入输出模块及外围接口模块,输入输出模块包括写流水线,该写流水线在数据写入操作期间,基于写时钟信号将从数据端子模块接收到的串行写数据以1:m1的方式串并转换为第一并行写数据,外围接口模块包括解串行器电路,该解串行器电路在数据写入操作期间,基于写时钟信号将经由数据写入总线从输入输出模块接收到的第一并行写数据以1:m2的方式串并转换为第二并行写数据,以写入到存储器阵列,其中,m1×m2=n。

东芯股份是国内中小容量通用存储芯片领域领先厂商,依托自主可控技术壁垒覆盖多场景高可靠性存储产品。公司成立于2014年11月26日,于2021年12月10日在上海证券交易所上市,注册地与办公地均位于上海市。

东芯股份主营业务聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计,同时布局汽车芯片、半导体、存储概念三大热门赛道。

2026年上半年,公司实现营业收入14.97亿元,在23家同行业可比企业中排名第13位,同期行业营收第一名江波龙达240.88亿元、第二名兆易创新为115.66亿元,行业平均营收37.26亿元,行业中位数为17.36亿元;当期实现净利润6.86亿元,行业排名第9/总家数23,同期行业净利润第一名江波龙为107.18亿元、第二名兆易创新达68.85亿元,行业平均净利润12.55亿元,行业中位数为5.28亿元,公司净利润表现优于行业中位数水平。

指标类型 2026年上半年数值 行业排名 行业头部企业数值 行业均值 行业中位数
营业收入 14.97亿元 13/23 江波龙240.88亿元、兆易创新115.66亿元 37.26亿元 17.36亿元
净利润 6.86亿元 9/23 江波龙107.18亿元、兆易创新68.85亿元 12.55亿元 5.28亿元

东芯半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1放大器电路及该放大器电路的启动方法发明专利公布CN202610611021.X2026-05-06CN122475655A2026-07-28蒋徐前
2NAND Flash芯片写入脉冲强度的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046596.X2025-12-31CN121862176A2026-04-14陈慧
3信号时序控制电路和信号时序控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512042460.12025-12-31CN121884898A2026-04-17俞惠、刘亮、吕军
4反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法发明专利公布CN202511837741.X2025-12-08CN121662125A2026-03-13聂明漩
5数据串并转换电路、数据串并转换锁存方法及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202511775208.52025-11-28CN121585182A2026-02-27宋东蔚
6一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411981682.92024-12-31CN119905128A2025-04-29曹健睿、陈慧、陈纬荣
7上电检测电路及上电检测方法发明专利授权CN202411962901.92024-12-30CN119811459B2026-05-05胡嘉伦
8反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411950954.92024-12-27CN119889403A2025-04-25任雪
9写操作时序逻辑电路及存储器发明专利授权CN202411937502.72024-12-26CN119864058B2025-12-30宋东蔚
10ZQ校准模块及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202411799189.52024-12-09CN119724303A2025-03-28俞惠、刘亮
11温度传感器电路以及DDR3半导体存储芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411791946.42024-12-06CN119595133A2025-03-11蒋徐前
12LDO电路发明专利实质审查的生效、公布CN202411726655.72024-11-28CN119597082A2025-03-11田铂城、沈凯斌
13AB类运算放大器发明专利实质审查的生效、公布CN202411722573.52024-11-28CN119649866A2025-03-18田铂城
14反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器发明专利授权CN202411671481.92024-11-21CN119601064B2026-03-06任雪、俞惠
15延时电路版图及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411571204.02024-11-06CN119623395A2025-03-14沈凯斌
16DDR时钟同步系统和具备该系统的DDR内存芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202411269993.22024-09-11CN119226198A2024-12-31刘浩杰、刘亮、沈凯斌、聂明漩
17片内终结电路模块及该片内终结电路模块的数据保持方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411143918.12024-08-20CN119132359A2024-12-13陆秋实、刘亮、李解
18锁相环延迟时间调整装置、方法及时钟同步系统发明专利实质审查的生效、公布CN202411005156.92024-07-25CN118824312A2024-10-22刘浩杰、聂明漩
19提高NORFLASH配置模块数据准确率的方法、装置、存储介质及存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202410214635.52024-02-27CN118098309A2024-05-28王潇潇
20半导体存储器及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410169256.92024-02-06CN118019333A2024-05-10郑明勋
21一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备发明专利实质审查的生效、公布CN202311767256.02023-12-20CN117746961A2024-03-22胡杰
22NAND闪存单元及NAND闪存单元的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311696506.62023-12-11CN117641922A2024-03-01周震、金镇湖
23非易失性存储器及其编程方法、计算机系统发明专利实质审查的生效、公布CN202311533307.32023-11-16CN117558322A2024-02-13冯鹏亮
24存储器装置及其数据操作方法发明专利授权CN202311439982.X2023-10-31CN117435140B2026-08-21胡杰
25电流镜组的共质心布局及其布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311169463.62023-09-11CN117217157A2023-12-12肖陈贵、唐力、赖荣钦、郑龙权、胡杰
26NOR闪存存储器的刷新方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202310800165.62023-06-30CN116779001A2023-09-19孙天宇
27半导体器件的金属层布局方法发明专利实质审查的生效、公布CN202310573621.82023-05-19CN116583108A2023-08-11唐力
28循环冗余校验电路及DDR存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310424643.82023-04-19CN116453578A2023-07-18赖荣钦
29写入均衡检测器、写入均衡检测电路及存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202310231864.32023-03-10CN116524972A2023-08-01郑龙权
30NAND闪存及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211729243.X2022-12-30CN115988881A2023-04-18金镇湖
31NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202211708522.82022-12-29CN115831203A2023-03-21沈嘉怡
32非易失性存储器及其数据读取方法、计算机系统发明专利授权CN202211503529.62022-11-28CN115841838B2026-02-03王潇潇
33非易失性存储器的编程方法以及存储装置发明专利实质审查的生效、公布CN202211280334.X2022-10-19CN115602232A2023-01-13冯鹏亮
34非易失性存储器及其擦除方法、计算机系统发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211123715.72022-09-15CN115440284A2022-12-06陈慧
35用于过擦除修复的方法和存储装置发明专利授权、公布CN202210961804.22022-08-11CN115295056B2025-05-13陈纬荣
36间隔振荡器及其控制方法、以及具备该间隔振荡器的存储器发明专利授权CN202210949585.62022-08-09CN115295034B2025-09-30赖荣钦
37振荡周期匹配装置、方法、存储器及计算机可读取介质发明专利授权CN202210871210.22022-07-22CN115118256B2025-11-14赖荣钦
38一种占空比调节器发明专利实质审查的生效、公布CN202210849664.X2022-07-19CN115116505A2022-09-27赖荣钦
39一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849957.82022-07-19CN115116506B2025-08-15赖荣钦
40一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849584.42022-07-19CN115132243B2025-08-19赖荣钦
41一种占空比调节器发明专利授权、公布CN202210849633.42022-07-19CN115001454B2025-08-26赖荣钦
42存储器及其去耦方法发明专利实质审查的生效、公布CN202210767899.42022-06-30CN115064194A2022-09-16赖荣钦
43具有校准功能的存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202210767408.62022-06-30CN115064193A2022-09-16赖荣钦
44存储器及其去耦方法发明专利授权CN202210768197.82022-06-30CN115064195B2026-07-14赖荣钦
45存储器发明专利授权、公布CN202210714079.92022-06-22CN115188407B2025-09-09赖荣钦
46时序转换装置、方法、写入均衡系统及计算机可读取介质发明专利授权、公布CN202210699757.92022-06-20CN115021725B2025-06-27赖荣钦
47CAM单元检查模块及其检查方法发明专利授权、公布CN202210288757.X2022-03-23CN114649049B2025-08-29方斗敬
48用于输入缓冲器的偏移消除校准电路的自对准控制电路发明专利授权CN202210277707.12022-03-21CN114613402B2026-01-30赖荣钦
49非易失性存储器装置及其操作方法发明专利授权CN202210222692.92022-03-09CN114613410B2025-11-21林钟观
50半导体器件发明专利授权、公布CN202210207403.82022-03-04CN114582832B2025-07-29苏万锡、李海旭

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