作为AI（人工智能）热潮的最大赢家之一，韩国内存厂商SK海力士预计由AI驱动的存储芯片超级周期将至少持续至2030年。

当地时间8月27日，SK海力士在印第安纳州为其首家美国工厂举办了奠基仪式，进一步巩固其在美国的业务布局。SK海力士CEO郭鲁正在记者会上表示，“我们预计当前的市场情况将一直延续至2030年底。目前，我们没有看到任何预示市场将进入下行周期的明确信号。”

郭鲁正还指出，即便未来存储市场迎来下行周期，出现过去那种剧烈下滑的可能性也极低：“在过去的多次下行周期中，存储业务本质上100%属于大宗商品，厂商主要通过扩大产能来进行同质化竞争。但对于HBM而言，客户与半导体厂商共同参与芯片研发，双方必须紧密合作以实现性能最大化，这使得市场需求更容易预测。”

因此，郭鲁正认为：“即便出现下行，也更有可能表现为需求增速放缓或进入平台期，而非骤然暴跌。”

作为HBM领域的市场份额霸主，SK海力士正在进行一项高达7200亿美元的全球扩产计划。绝大部分扩张将发生在韩国本土，公司正在建设全球最大的内存晶圆厂园区，并计划于明年2月投产。

郭鲁正表示，到2030年，SK海力士在美投资和资产总额预计将超过450亿美元。耗资40亿美元的印第安纳厂将用于芯片封装，这意味着内存芯片将在此进行堆叠和互连。郭鲁正透露，用于进行封装的首个洁净室预计将于2028年10月投入使用。

该工厂将为全球客户提供全新的“美国制造”HBM（高带宽内存）供给，并计划在2030年前将印第安纳州打造为“美国关键的HBM生产基地”。

当天，SK海力士首次公开了印第安纳工厂的具体生产型号与量产时间表。郭鲁正表示，该工厂计划于2029年第三季度开始量产HBM4E（第七代HBM），预计年产能将达到数十万片晶圆。

关于在美国的潜在追加投资选址，郭鲁正回应称：“目前尚未确定或锁定入围名单。只要在电力、用水和补贴方面具备良好条件，且能够与客户共同创造新商业机会，我们对任何地点都持开放态度。”

今年7月，美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）曾呼吁SK海力士及其主要竞争对手三星在美国建立前道芯片晶圆厂。对此，郭鲁正也表达了开放的立场：“如果对方提供的条件满足要求，我们非常乐意为美国或其他国家的AI产业带来更多的好消息。”他补充道：“SK海力士将继续扩大在美投资与合作。”

此外，关于SK海力士所持有的日本NAND闪存制造商铠侠（Kioxia）的可转换债券，郭鲁正表达了审慎的态度：“关于铠侠的持股，目前没有任何具体或确定的计划。我们正在非常谨慎地评估如何发展NAND闪存业务并开拓市场。”

而对于NAND子公司Solidigm的首次公开募股（IPO）计划，郭鲁正仅表示：“目前仍处于讨论阶段，我们尚未决定取消 IPO。”

澎湃新闻记者 胡含嫣