奕斯伟材料、欣芯材料申请硅片线痕检测相关专利,利用纳米形貌数据检测硅片切割线痕隐性缺陷
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2026-05-17 09:36:25
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5月17日消息,国家知识产权局信息显示,西安奕斯伟材料科技股份有限公司、西安欣芯材料科技有限公司申请一项名为“硅片的切割线痕缺陷检测方法、系统及存储介质”的专利。申请公布号为CN122048788A,申请号为CN202511904614.7,申请公布日期为2026年5月15日,申请日期为2025年12月17日,发明人杨宗辉、陈曦鹏、王黎昱,专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师沈寒酉、李斌栋,分类号G06T7/00、H10P74/20、H10P74/00、G01N21/88、G01N21/95、G06V10/50。

专利摘要显示,本公开提供了一种硅片的切割线痕缺陷检测方法、系统及存储介质,通过获取待测硅片表面的纳米形貌图数据,并将纳米形貌图数据映射为灰度图像,可以充分利用纳米形貌数据的空间分布信息,从宏观及微观多方面进行分析。在灰度图像中定义检测路径,并沿检测路径设置至少一个检测区域。对于每个检测区域,提取其内像素灰度值的统计分布特征,以判定检测区域内是否存在切割线痕缺陷,可以敏锐地捕捉到由切割线痕缺陷引起的微小高度异常,从而检测出隐性缺陷。其中,检测区域沿检测特定的路径设置,能够有效区分具有方向性的切割线痕缺陷与随机噪声,显著降低了误检率。

西安奕材于2016年3月16日成立,2025年10月28日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均为陕西省西安市。该公司是国内专注12英寸硅片研发、生产与销售的企业,在半导体材料领域具备一定技术实力。

西安奕材所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料,概念板块涵盖国家大基金持股、新股与次新股、次新股,主营业务是专注于12英寸硅片的研发、生产和销售。

2025年,西安奕材实现营业收入26.49亿元,在行业26家企业中排名第6,高于行业平均数19.89亿元和中位数11.14亿元,但与第一名有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元差距较大。其主营业务中,测试片收入10.42亿元,占比39.33%;抛光片9.84亿元,占比37.15%;外延片6.1亿元,占比23.03%,其中高端测试片4.61亿元,占比17.39%,其他(补充)1315万元,占比0.50%。净利润方面,2025年为 - 7.38亿元,在行业中排名25,远低于行业平均数3265.85万元和中位数8178.71万元,与第一名雅克科技的10.3亿元、第二名江丰电子的4.14亿元差距明显。

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1协同控制体微缺陷的直拉硅单晶生长方法、装置及硅晶圆发明专利公布CN202610368132.22026-03-24CN122013300A2026-05-12毛勤虎
2一种加料角度调节方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610350636.12026-03-20CN121931593A2026-04-28赵嘉诚
3一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610346713.62026-03-20CN121931597A2026-04-28杨文武、宁沛娜
4单晶生长方法及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610345729.52026-03-20CN121931595A2026-04-28潘浩、石小磊
5一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉发明专利实质审查的生效、公布CN202610346716.X2026-03-20CN121931598A2026-04-28杨文武、宁沛娜
6一种研磨定盘及研磨设备、研磨方法发明专利公布CN202610347640.22026-03-20CN122008064A2026-05-12章晓东
7抛光机、抛光垫检测方法、装置、检测设备、产品及介质发明专利公布CN202610345452.62026-03-20CN122008069A2026-05-12杨鑫卓
8一种加热系统、方法及单晶硅生长装置发明专利公布CN202610349958.42026-03-20CN122039199A2026-05-15潘浩、王浩、孙洪涛
9一种晶圆形貌分类的方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202610269906.62026-03-06CN122049540A2026-05-15李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉
10晶棒处理设备和晶棒处理方法发明专利公布CN202610120374.X2026-01-28CN121945472A2026-05-01郭宏雁、黄兆皓
11硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610079762.82026-01-21CN121865865A2026-04-14贾志怡
12控制半导体单晶生长的方法、装置、及晶棒发明专利公布CN202512010297.02025-12-29CN121653837A2026-03-13杨文武、宁沛娜
13半导体制造设备,及其尾气处理方法、系统发明专利公布CN202512010197.82025-12-29CN121944738A2026-05-01杨文武、宁沛娜
14一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置发明专利公布CN202512012667.42025-12-29CN122028669A2026-05-12张申申
15拉晶工艺的功率控制方法、装置、设备及计算机存储介质发明专利公布CN202511996021.82025-12-26CN121675079A2026-03-17杨文武、宁沛娜
16双面抛光方法及设备、计算设备、介质及抛光晶圆发明专利公布CN202511961424.92025-12-24CN122008066A2026-05-12潘石、刘还平、白强强、王明
17一种晶圆的抛光方法以及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511956856.02025-12-23CN121941286A2026-04-28贾磊、杨新元、王明
18抛光头组件、化学机械抛光系统及晶圆的制备方法发明专利公布CN202511911677.52025-12-17CN121624982A2026-03-10王鹏、许涛、杨启
19晶圆检测设备和晶圆检测方法发明专利公布CN202511904874.42025-12-17CN121678673A2026-03-17薛博涛、陈光林、刘玉乾、黄兆皓
20单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉发明专利公布CN202511905877.X2025-12-17CN121951677A2026-05-01潘浩、崔源进、张鹏举
21一种晶圆清洁系统及方法发明专利公布CN202511907326.72025-12-17CN121969052A2026-05-01康建
22硅片的切割线痕缺陷检测方法、系统及存储介质发明专利公布CN202511904614.72025-12-17CN122048788A2026-05-15杨宗辉、陈曦鹏、王黎昱
23线切割装置及线切割取样方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511899233.42025-12-16CN121403584A2026-01-27王晋飞
24一种电阻率测试装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511897839.42025-12-16CN121917845A2026-04-24贺鹏
25清洗设备、清洗方法、清洗装置、控制设备、产品及介质发明专利公布CN202511866027.32025-12-11CN121665982A2026-03-13张树星、陈海龙、夏新超、左斌
26一种拉晶装置及拉晶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511869249.02025-12-11CN121781273A2026-04-03闫龙、张鹏举、吴超、纪天平、李智超
27一种边缘缺陷的检测方法、装置、设备、系统及介质发明专利公布CN202511869589.32025-12-11CN122016796A2026-05-12周淼
28热场调节装置、单晶炉和热场调节方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511856243.X2025-12-10CN121344772A2026-01-16黄文洋
29一种籽晶倾斜检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511855413.22025-12-10CN121366283A2026-01-20彭标、孙洪涛
30一种晶棒切割装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511858998.32025-12-10CN121572470A2026-02-27王磊磊、霍慧文、刘士靖、刘倩
31一种砂轮参数确定方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511854835.82025-12-10CN121580854A2026-02-27李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉
32一种拉晶收尾的控制方法及系统发明专利公布CN202511858477.82025-12-10CN121826878A2026-04-10纪天平、彭标、闫龙
33一种晶圆的检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511859289.72025-12-10CN121908854A2026-04-21史铁柱、庞鲁、王龙
34半导体设备的检验方法、装置、设备、系统及介质发明专利公布CN202511854133.X2025-12-10CN121978104A2026-05-05李康康
35缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202511842176.62025-12-09CN121969119A2026-05-01程瑜、贺鑫、胡一洲、万珣
36晶圆边缘质量的评估方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202511844052.12025-12-09CN122042479A2026-05-15薛浩波、袁力军、兰洵、张婉婉
37晶圆检测方法及相关装置发明专利公布CN202511837367.32025-12-08CN121665979A2026-03-13吕天爽
38晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511840689.32025-12-08CN121874923A2026-04-17赵亮
39一种单片清洗装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840630.42025-12-08CN121888884A2026-04-17左斌、陈海龙、王颖、张树星、夏新超
40硅片研磨的生产系统、控制方法和装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511840651.62025-12-08CN121870626A2026-04-17王琛、张宁轩、黄兆皓
41硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840788.12025-12-08CN121874924A2026-04-17彭标、孙洪涛
42一种晶圆的检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511840660.52025-12-08CN121925097A2026-04-24史铁柱、庞鲁、王龙
43单晶硅的拉晶控制方法、装置及相关设备发明专利公布CN202511826516.62025-12-05CN121538725A2026-02-17杨松、赵亮
44绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511830184.92025-12-05CN121908606A2026-04-21张博、兰洵、车宇航、王文娟、刘贵浩
45晶圆的清洗方法、设备、以及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511815254.32025-12-04CN121604750A2026-03-03党快乐、兰洵
46一种双面抛光方法、双面抛光设备及硅片发明专利实质审查的生效、公布CN202511817716.52025-12-04CN121870547A2026-04-17郭宏雁、陈祖庆
47硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511772774.02025-11-28CN121374876A2026-01-23王黎昱、陈曦鹏
48一种外延片边缘形貌补偿型晶圆双面抛光装置及方法发明专利公布CN202511770029.22025-11-28CN121535652A2026-02-17王俊夫
49晶圆处理方法及装置、电子设备发明专利公布CN202511775486.02025-11-28CN121548286A2026-02-17张城旗、苏艳宁、王黎昱
50晶圆检测与标识的设备、方法及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511775182.42025-11-28CN121865898A2026-04-14李乐杰、张钊、范东方、陈建勇

天眼查数据显示,西安欣芯材料科技有限公司成立日期2022年8月3日,法定代表人刘还平,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,企业规模为中型,注册资本504400万人民币,实缴资本355000万人民币,注册地址为陕西省西安市高新区西沣南路1888号1号办公楼1-1-046室。西安欣芯材料科技有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目173次,财产线索方面有商标信息0条,专利信息180条,拥有行政许可25个。

西安欣芯材料科技有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种加料角度调节方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610350636.12026-03-20CN121931593A2026-04-28赵嘉诚
2单晶生长方法及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610345729.52026-03-20CN121931595A2026-04-28潘浩、石小磊
3一种加热系统、方法及单晶硅生长装置发明专利公布CN202610349958.42026-03-20CN122039199A2026-05-15潘浩、王浩、孙洪涛
4硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610079762.82026-01-21CN121865865A2026-04-14贾志怡
5抛光头组件、化学机械抛光系统及晶圆的制备方法发明专利公布CN202511911677.52025-12-17CN121624982A2026-03-10王鹏、许涛、杨启
6单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉发明专利公布CN202511905877.X2025-12-17CN121951677A2026-05-01潘浩、崔源进、张鹏举
7一种晶圆清洁系统及方法发明专利公布CN202511907326.72025-12-17CN121969052A2026-05-01康建
8硅片的切割线痕缺陷检测方法、系统及存储介质发明专利公布CN202511904614.72025-12-17CN122048788A2026-05-15杨宗辉、陈曦鹏、王黎昱
9线切割装置及线切割取样方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511899233.42025-12-16CN121403584A2026-01-27王晋飞
10清洗设备、清洗方法、清洗装置、控制设备、产品及介质发明专利公布CN202511866027.32025-12-11CN121665982A2026-03-13张树星、陈海龙、夏新超、左斌
11一种籽晶倾斜检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511855413.22025-12-10CN121366283A2026-01-20彭标、孙洪涛
12晶圆检测方法及相关装置发明专利公布CN202511837367.32025-12-08CN121665979A2026-03-13吕天爽
13晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511840689.32025-12-08CN121874923A2026-04-17赵亮
14一种单片清洗装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840630.42025-12-08CN121888884A2026-04-17左斌、陈海龙、王颖、张树星、夏新超
15硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840788.12025-12-08CN121874924A2026-04-17彭标、孙洪涛
16单晶硅的拉晶控制方法、装置及相关设备发明专利公布CN202511826516.62025-12-05CN121538725A2026-02-17杨松、赵亮
17一种双面抛光方法、双面抛光设备及硅片发明专利实质审查的生效、公布CN202511817716.52025-12-04CN121870547A2026-04-17郭宏雁、陈祖庆
18硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511772774.02025-11-28CN121374876A2026-01-23王黎昱、陈曦鹏
19晶圆处理方法及装置、电子设备发明专利公布CN202511775486.02025-11-28CN121548286A2026-02-17张城旗、苏艳宁、王黎昱
20一种用于晶棒生长的控制装置、方法以及拉晶炉发明专利公布CN202511762453.22025-11-27CN121556142A2026-02-24蔡媛媛
21化学机械抛光设备及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511755819.32025-11-27CN121696842A2026-03-20王泽康
22改善晶圆平坦度的方法、装置、设备、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511766166.92025-11-27CN121756221A2026-03-31习恒
23一种拉晶收尾控制方法、装置、设备及计算机存储介质发明专利公布CN202511755172.42025-11-26CN121629510A2026-03-10刘锦章
24单晶硅棒的磨削控制方法、装置、存储介质及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511759290.22025-11-26CN121733370A2026-03-27闫旭斌
25加料装置、二次加料方法及单晶炉发明专利实质审查的生效、公布CN202511723278.62025-11-21CN121802535A2026-04-07代俊乐
26硅片边缘抛光设备及方法、控制装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511711516.12025-11-20CN121223677A2025-12-30默玉海
27参数监控方法及装置、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511711413.52025-11-20CN121433159A2026-01-30王龙飞
28基于深度学习模型的放肩控制方法、装置及相关设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511618385.22025-11-06CN121451291A2026-02-03潘浩
29冷却装置及单晶炉发明专利实质审查的生效、公布CN202511554726.42025-10-29CN121610884A2026-03-06彭标、孙洪涛
30结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511494017.12025-10-20CN121321211A2026-01-13赵亮
31一种晶圆清洗系统和方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511482114.92025-10-16CN121358206A2026-01-16吕天爽
32一种抛光垫清洗设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511422964.X2025-09-30CN121082581A2025-12-09李凡
33一种外延硅晶圆及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511372934.22025-09-24CN121472986A2026-02-06孙毅、贾帅
34一种晶圆检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511296601.62025-09-11CN121123050A2025-12-12蒙亮亮、王雷、王奔、赵李鑫、万珣
35一种晶圆的清洗干燥方法及装置发明专利公布CN202511106481.92025-08-08CN120954964A2025-11-14夏新超、张树星、陈海龙
36一种晶圆缺陷的工艺段确定方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511095534.12025-08-06CN120933183A2025-11-11贾聪、王雷、赵李鑫、万珣、丁泉泉
37晶圆的检测装置及晶圆的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511096636.52025-08-06CN120933184A2025-11-11苏旭文、戎淇舰、吕天爽、蒙亮亮
38一种销环组件、双面抛光设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510966103.12025-07-14CN120620063A2025-09-12陈祖庆
39硅片的厚度测量方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510964157.42025-07-14CN120740458A2025-10-03蒙亮亮、王雷、苏旭文、贾聪、唐贝
40吊渣装置及晶体生长设备、单晶炉渣料去除方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510863056.82025-06-25CN120649139A2025-09-16冀泓宜
41用于晶圆的清洗方法以及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202510852496.32025-06-24CN120895459A2025-11-04郭宏雁、崔源进、左斌、张树星、夏新超
42一种晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510777036.92025-06-11CN120878538A2025-10-31夏新超、李燦朝、张树星、陈海龙、左斌
43一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202510734809.52025-06-04CN120635018A2025-09-12万珣、马强强
44二次加料定位装置及单晶炉、二次加料方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510690564.02025-05-27CN120443327A2025-08-08郑永远
45一种晶圆缺口定位装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510669615.12025-05-23CN120545237A2025-08-26刘文文
46一种晶圆清洗方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510672784.02025-05-23CN120809603A2025-10-17夏新超、陈海龙、张树星
47用于边缘刻蚀装置的处理方法以及边缘刻蚀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510627483.62025-05-15CN120727555A2025-09-30杨海龙
48晶圆缺陷检测方法、装置、设备、存储介质及程序产品发明专利公布CN202510504732.22025-04-22CN120300019A2025-07-11万珣、苗小明、蒙亮亮
49一种晶圆夹持器件的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510499125.12025-04-21CN120581461A2025-09-02吕天爽
50硅片测量装置及其工作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510399227.62025-04-01CN120252586A2025-07-04万珣、蒙亮亮、王雷

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