5月17日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“电容器结构以及电容器结构的制造方法”的专利,授权公告号CN121240471B,授权公告日为2026年5月15日。申请公布号为CN121240471A,申请号为CN202511794295.9,申请公布日期为2026年5月15日,申请日期为2025年12月2日,发明人井口学、牟田哲也,专利代理机构上海汉之律师事务所,专利代理师徐燕华,分类号H10D1/68。
专利摘要显示,本发明公开了一种电容器结构以及电容器结构的制造方法,属于半导体技术领域,所述电容器结构至少包括:下电极,包括分割的多个下电极元件,且相邻的所述下电极元件之间形成有间隙;第一绝缘层,覆盖所述下电极元件的侧面,并在相邻的所述下电极元件之间形成凹部;MIM堆栈层,设置在所述下电极元件和所述第一绝缘层上,且所述MIM堆栈层覆盖所述下电极元件的上表面和所述第一绝缘层;第二绝缘层,设置在所述MIM堆栈层上;上电极,设置在所述第二绝缘层上;以及导通管,贯穿所述第二绝缘层,且所述导通管连接所述MIM堆栈层和所述上电极。通过本发明提供的一种电容器结构及电容器结构的制造方法,可提高电容器结构的容量和性能。
晶合集成于2015年5月19日成立,2023年5月5日在上海证券交易所上市。公司注册地址与办公地址均涉及安徽省合肥市,此外办公地址还包括中国香港。晶合集成是国内领先的12英寸晶圆代工企业,具备先进工艺研发能力与全产业链优势,投资价值凸显。
晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,专注研发并应用先进工艺,为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,属于半导体产业、集成电路、半导体概念板块。
2025年,晶合集成营业收入达108.85亿元,在行业7家企业中排名第4,行业第一名中芯国际为673.23亿元,第二名华虹公司为172.91亿元,行业平均数为166.12亿元,中位数为108.85亿元。其主营业务中,集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元,占比95.14%。净利润方面,2025年为4.66亿元,同样在行业7家企业中排名第4,行业第一名中芯国际为72.09亿元,第二名赛微电子为13.88亿元,行业平均数为9.67亿元,中位数为4.66亿元。
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610502429.3 | 2026-04-16 | CN122028719A | 2026-05-12 | 李飞、董宗谕 |
| 2 | 半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610500449.7 | 2026-04-16 | CN122028718A | 2026-05-12 | 李飞、董宗谕 |
| 3 | 一种半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610491922.X | 2026-04-15 | CN122054986A | 2026-05-15 | 陈东、王晓娟、韩领、康绍磊 |
| 4 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610479111.8 | 2026-04-13 | CN122028725A | 2026-05-12 | 宋富冉、刘乃硕 |
| 5 | 光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610476328.3 | 2026-04-13 | CN122018227A | 2026-05-12 | 王康、罗招龙 |
| 6 | 电性测试结构及其测试方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610476299.0 | 2026-04-13 | CN122028713A | 2026-05-12 | 刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼 |
| 7 | 伽马电阻的阻值波动的监控方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610475623.7 | 2026-04-13 | CN122028712A | 2026-05-12 | 李健、邵迎亚、汪雪春 |
| 8 | 一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统 | 发明专利 | 公布 | CN202610475734.8 | 2026-04-13 | CN122047157A | 2026-05-15 | 杨杰、郭哲劭、郭廷晃 |
| 9 | 黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202610466856.0 | 2026-04-10 | CN121995712A | 2026-05-08 | 胡玉明 |
| 10 | 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610466026.8 | 2026-04-10 | CN122003143A | 2026-05-08 | 李雯琴、王文轩 |
| 11 | 一种化学气相沉积设备及其温度控制方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610468112.2 | 2026-04-10 | CN122013156A | 2026-05-12 | 黄望望、王松、周丹玫、胡万春 |
| 12 | 铝衬垫制备方法及半导体 | 发明专利 | 公布 | CN202610460164.5 | 2026-04-09 | CN121985860A | 2026-05-05 | 张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕 |
| 13 | 一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610458132.1 | 2026-04-09 | CN121985755A | 2026-05-05 | 曹平、刘苏涛 |
| 14 | 半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610460537.9 | 2026-04-09 | CN122003137A | 2026-05-08 | 董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀 |
| 15 | 半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610449908.3 | 2026-04-08 | CN121985808A | 2026-05-05 | 伍德超、郝小强、梁健 |
| 16 | 套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610442492.2 | 2026-04-07 | CN121978874A | 2026-05-05 | 刘华龙、张祥平 |
| 17 | 半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610432589.5 | 2026-04-03 | CN121968657A | 2026-05-01 | 李猛猛 |
| 18 | LDMOS器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610433072.8 | 2026-04-03 | CN121968623A | 2026-05-01 | 刘东山、吴其洪 |
| 19 | 半导体结构制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610435065.1 | 2026-04-03 | CN121985805A | 2026-05-05 | 王文智 |
| 20 | 电容结构及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610436485.1 | 2026-04-03 | CN121985540A | 2026-05-05 | 刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪 |
| 21 | 半导体测试结构及方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610425182.X | 2026-04-02 | CN121969117A | 2026-05-01 | 陈文璟、邵迎亚、汪雪春 |
| 22 | 半导体测试结构及厚度测量方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610427694.X | 2026-04-02 | CN121969118A | 2026-05-01 | 张盖、王雪、梁栋栋 |
| 23 | 图像传感结构、传感器及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610416871.4 | 2026-04-01 | CN121968751A | 2026-05-01 | 陈维邦 |
| 24 | 一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统 | 发明专利 | 公布 | CN202610419236.1 | 2026-04-01 | CN121959384A | 2026-05-01 | 姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟 |
| 25 | 机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质 | 发明专利 | 公布 | CN202610419232.3 | 2026-04-01 | CN121959064A | 2026-05-01 | 李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清 |
| 26 | 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610416662.X | 2026-04-01 | CN121968622A | 2026-05-01 | 吴彬彬、朱瑶 |
| 27 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610419234.2 | 2026-04-01 | CN121969040A | 2026-05-01 | 牛昆龙、张晓亮 |
| 28 | 漏电测试结构及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610405431.9 | 2026-03-31 | CN121933982A | 2026-04-28 | 李响、丁峰、芮倩、汪小小 |
| 29 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610407639.4 | 2026-03-31 | CN121969039A | 2026-05-01 | 何杨、张劲 |
| 30 | 静电放电保护器件及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610409574.7 | 2026-03-31 | CN121968726A | 2026-05-01 | 王维安、程洋 |
| 31 | 金属层图形预处理方法、修正目标图形及刻蚀方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610399687.3 | 2026-03-30 | CN121934314A | 2026-04-28 | 赵广、罗招龙 |
| 32 | 阶梯场板的制作方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610389259.2 | 2026-03-27 | CN121941093A | 2026-04-28 | 王维安、程洋、朱敏 |
| 33 | 一种半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610385445.9 | 2026-03-27 | CN122028483A | 2026-05-12 | 周纪、张伟、苏圣哲、运广涛、邵章朋 |
| 34 | 晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610380634.7 | 2026-03-26 | CN121941088A | 2026-04-28 | 方晓宇、刁勤超、郭宜婷 |
| 35 | 半导体结构的制造方法和半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610380978.8 | 2026-03-26 | CN121968691A | 2026-05-01 | 叶家顺、张浩、曹飞、董宗谕 |
| 36 | 金属互连层及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610371023.6 | 2026-03-25 | CN121908875A | 2026-04-21 | 运广涛、吴燕、苏圣哲、罗钦贤 |
| 37 | 研磨时间的调整方法、研磨方法、装置、研磨机台及设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610371912.2 | 2026-03-25 | CN121928457A | 2026-04-28 | 李颖超、金文祥、陈义元、彭萍、王伟祥 |
| 38 | 一种电阻的测量结构、测量方法及集成电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610361379.1 | 2026-03-24 | CN121899493A | 2026-04-21 | 张培、季雨 |
| 39 | MOS晶体管的电流比离群值判定装置及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610363491.9 | 2026-03-24 | CN121899472A | 2026-04-21 | 牟田哲也 |
| 40 | 半导体结构及半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610360205.3 | 2026-03-24 | CN121908661A | 2026-04-21 | 李猛猛 |
| 41 | 掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610345242.7 | 2026-03-20 | CN121888938A | 2026-04-17 | 桑华煜、程洋、汪华 |
| 42 | 半导体结构的制造方法及半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610339571.0 | 2026-03-19 | CN121908612A | 2026-04-21 | 运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲 |
| 43 | 一种半导体器件的测试结构及测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610330738.7 | 2026-03-18 | CN121865901A | 2026-04-14 | 尚正阳、王维安、程洋 |
| 44 | 静态存储器的最小工作电压的调整方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610331131.0 | 2026-03-18 | CN121905249A | 2026-04-21 | 田志锋 |
| 45 | 一种半导体器件及制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610320005.5 | 2026-03-17 | CN121865655A | 2026-04-14 | 尚正阳、王维安、杨宗凯 |
| 46 | 一种金属场板的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610324950.2 | 2026-03-17 | CN121865673A | 2026-04-14 | 尚正阳、王维安 |
| 47 | 半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610321343.0 | 2026-03-17 | CN121888607A | 2026-04-17 | 康绍磊 |
| 48 | 一种半导体器件及其制备方法、集成电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610320000.2 | 2026-03-17 | CN121908592A | 2026-04-21 | 朱敏 |
| 49 | 一种水溶性防护膜及其制备方法和应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610312126.5 | 2026-03-16 | CN121851828A | 2026-04-14 | 葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、蔡马龙 |
| 50 | 一种防护膜及其制备方法和应用 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610312129.9 | 2026-03-16 | CN121873627A | 2026-04-17 | 葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、许雨芩 |
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