斯达半导体股份有限公司（以下简称“斯达半导”）近日发布公告，就上海证券交易所关于其向不特定对象发行可转换公司债券申请文件的审核问询函进行了回复。公司拟募集资金不超过15亿元，用于“车规级SiC MOSFET模块制造项目”“IPM模块制造项目”“车规级GaN模块产业化项目”及补充流动资金。回复函详细披露了募投项目的环评进展、产能消化能力、财务性投资等关键问题，称项目实施不存在重大不确定性，产能消化风险较小。

募投项目环评与土地进展：IPM模块项目已获批 其余两项目预计12月取得批复

根据回复，斯达半导本次三个募投项目中，“IPM模块制造项目”已取得环评批复，“车规级SiC MOSFET模块制造项目”和“车规级GaN模块产业化项目”的环评文件已完成公示，预计2025年12月取得批复，不存在实质性障碍。土地方面，“IPM模块制造项目”拟在重庆高新区西永组团获取35亩工业用地，目前《项目合同》处于签章流程中；“车规级GaN模块产业化项目”拟在上海嘉定区外冈镇新能港14-03地块获取17.5亩工业用地，已通过评审准入，正在办理出让征询。

各募投项目环评进展情况

产能消化能力：SiC模块产销率超100% 在手订单超16亿元

回复函显示，公司本次募投项目产品市场需求旺盛，产能利用率饱和。其中，SiC MOSFET模块2025年1-6月销量已超过去年全年，产销率达103.01%，累计获得超30个新能源汽车主电机控制器项目定点；IPM模块在白色家电领域客户储备充足，2025年上半年产能利用率达95.52%。截至2025年10月31日，公司IGBT模块、SiC MOSFET模块及IPM模块在手订单及意向订单金额合计16.63亿元，需求稳定。

2025年1-6月主要产品产销量情况

项目效益预测显示，三个募投项目达产后内部收益率分别为18.45%、16.00%和18.73%，与同行业新洁能类似项目指标接近。其中，车规级SiC MOSFET模块制造项目预计新增280万个/年产能，IPM模块制造项目新增3000万个/年产能，车规级GaN模块产业化项目新增100万个/年产能。

财务性投资与合规性：不存在金额较大财务性投资 税务处罚已整改

针对问询关注的财务性投资问题，公司表示，本次发行董事会决议日前六个月至回复出具日，未新投入或拟投入财务性投资，最近一期末不存在金额较大财务性投资。此外，公司2025年7月因纳税问题受到税务行政处罚，已缴清罚款及滞纳金15.14万元，并完成整改，相关部门证明该行为不构成重大违法行为，不影响本次发行。

中介机构核查认为，斯达半导本次募投项目环评及土地手续进展正常，产能消化风险可控，财务性投资及历史处罚事项不构成发行障碍，项目效益预测审慎合理。

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