美光宣布超2500亿美元本土投资计划，开盘涨超7%
韩国存储厂商宣布本土投资计划后，美光科技（MU.O）也宣布了在美国本土的投资计划。
当地时间7月9日，美光科技宣布，公司计划2035年前在美国投资超过2500亿美元。最新计划比该公司去年6月公布的2000亿美元大幅提升。
据美光科技介绍，此次追加投资的目的包括实现一项长期目标，即将其DRAM（动态随机存取存储器）产量的40%放在美国本土生产。
2500亿美元投资将用于一些工厂建设计划，例如在美国爱达荷州博伊西建设第二座前沿存储芯片制造工厂、扩建弗吉尼亚州马纳萨斯的一处制造设施。此外，还有数百亿美元将用于技术研发。
包含在这项投资计划内，美光科技还宣布，计划在美国投资高达30亿美元，用于强化美国半导体供应链生态系统，打造未来技术创新必需的关键半导体制造能力，并满足AI及其他数据密集型应用对先进存储日益增长的需求。
30亿美元中有5亿美元是对环球晶圆（GlobalWafers）公司提供的战略融资支持，这次融资将用于推进得克萨斯州谢尔曼市环球晶圆美国分公司300mm原始硅晶圆制造工厂的开发和产能建设。两家公司还签订了一项为期10年的供应协议，以确保美光科技获得充足的原始硅晶圆产能。
此外，据美光科技介绍，公司与环球晶圆还计划就下一代晶圆技术和工艺创新展开合作。
7月9日开盘，美光科技涨超7%，市值1.2万亿美元。
美光科技宣布最新投资计划前，6月29日，韩国政府联手三星、SK集团公布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三类核心超级项目。韩国西南部计划投资800万亿韩元（约5180亿美元）建设四座半导体制造厂，三星电子（005930.KS）和SK海力士（000660.KS）计划各建两座。
具体至企业，SK海力士计划投资1100万亿韩元扩大DRAM和NAND闪存供应。三星计划在光州投入400万亿韩元新建一座晶圆制造厂，三星电子计划在天安、温阳投入56万亿韩元新建HBM（高带宽内存）厂。
三星电子、SK海力士、美光科技是全球最大的三家DRAM原厂。这些最新宣布的投资计划显示，国际DRAM原厂决心扩张存储产能，并有意增强本土制造能力。