核心财务数据亮眼，业绩超预期增长

2026年上半年，银河微电（688689）业绩实现跨越式增长，多项核心财务指标表现亮眼。公司实现营业收入6.11亿元，同比增长28.28%；归属于上市公司股东的净利润4825.85万元，同比增长77.28%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润4152.30万元，同比大幅增长134.78%，增速显著高于营收，盈利能力大幅提升。基本每股收益0.38元/股，同比增长80.95%；扣除非经常性损益后的基本每股收益0.32元/股，同比增长128.57%。

车规级产品放量，高端市场突破

车规产品营收占比达35%，成第二增长曲线

报告期内，公司车规级产品营收占比已达35%，成为拉动公司业绩增长的核心动力。车载业务已连续多年保持50%以上的高速增长，展现出强劲的发展势头。中大功率车规MOSFET量产交付规模位居国内同行第一梯队，彰显了公司在该领域的领先地位。车规级全系列产品通过严苛的AEC-Q101可靠性验证，新增多款车载MOSFET、整流桥、TVS保护器件实现车企定点与批量供货。公司成功导入科世达、西门子、依必安派特、先锋车载音响、尼得科、万邦等优质客户，并进入吉利、沃尔沃亚太等主机厂功率MOS白名单，为后续业务持续增长奠定了坚实基础。

第三代半导体产业化提速，SiC模块进入客户验证

公司在第三代半导体领域的布局加速推进，SiC MOSFET车用功率器件、模块的工艺定型、车规验证与小批量送样工作进展顺利。车用SiC MOSFET模块已完成多轮可靠性摸底测试与头部客户工程验证，进入样品送测、客户验证及产业化工艺调试阶段，有望在新能源汽车800V高压平台普及的趋势下，成为公司新的增长点。同时，GaN器件同步开展技术预研与样品开发，宽禁带半导体产业化落地取得实质性进展，技术储备充足。

产品结构持续优化，高附加值品类占比提升

公司产品矩阵覆盖功率器件、小信号器件、第三代半导体器件、光电器件与集成器件四大板块。其中，车规器件、MOS器件、保护器件及第三代半导体产品均达成或超出预期目标，产品结构持续向高附加值方向优化。BLDC电机驱动芯片完成最终版设计优化、工艺定型与可靠性认证，进入小批量客户验证阶段；高速光耦系列产品实现批量供货，填补了高端高速光耦产品市场化空白，进一步丰富了公司高毛利产品种类。

盈利能力显著提升，利润质量持续优化

毛利率稳步提升，运营效率改善

报告期内，公司通过系统数据优化、流程梳理与产品线培训，整体运营效率显著提升。尽管研发投入占营业收入比例为5.74%，同比减少0.78个百分点，但研发费用仍达3510.66万元，同比增长13.00%，重点投向第三代半导体、车规级功率器件等高附加值领域，为公司长期发展提供技术支撑。

经营现金流大幅改善，盈利质量夯实

公司经营活动产生的现金流量净额为4859.18万元，同比大幅增长162.23%，主要系销售商品、提供劳务收到的现金增加所致。经营现金流的大幅改善，显示公司盈利质量良好，应收账款回收能力增强，现金流状况持续优化，为公司后续发展提供了坚实的资金保障。

研发与技术壁垒：持续创新，筑牢核心竞争力

研发投入稳定增长，技术成果丰硕

公司持续保持稳定的研发投入，报告期内研发投入3510.66万元，同比增长13.00%。在技术成果方面，新增发明专利申请6项，获得发明专利3项；新增实用新型专利申请17项，获得16项。截至报告期末，公司累计获得有效专利232项，其中发明专利45项，实用新型专利181项，外观设计专利1项，集成电路布图设计5项，技术储备丰富，核心竞争力不断增强。

重点研发项目进展顺利，技术领先优势巩固

公司在车用SiC MOSFET功率器件和模块关键技术、BLDC电机驱动芯片、IGBT模块的设计与开发、高密度DFN车规封装平台开发等18个重点研发项目上均取得阶段性成果。其中，BLDC电机驱动芯片项目已完成，基于Clip焊接技术的PDFN3*3功率MOS器件平台开发、高密度DFN车规封装平台开发等项目研发投入均超过400万元，这些项目的顺利推进将进一步巩固公司的技术领先优势。

研发团队持续壮大，人才结构优化

截至2026年6月末，公司研发人员数量达219人，占公司总人数的比例为15.62%。研发人员平均薪酬8.22万元，同比增长6.34%，体现了公司对研发人才的重视。研发团队学历构成中，博士研究生1人，硕士研究生15人，本科143人，专科50人，形成了“高端引领、骨干支撑、新人培育”的良性研发人才体系，为公司持续创新提供了智力支持。

产能与资本开支：扩产项目稳步推进，未来增长可期

公司加速推进高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设，预计2026年9月底完成主体工程，2026年四季度开始内部装修，2027年二季度开始逐步投产使用。该项目将显著提高公司集成电路分立器件产品的生产加工制造能力，扩大生产规模，为公司未来业绩增长提供坚实的产能保障。

此外，公司筹划发行股份收购恒泰柯股权，并同步配套募资用于项目扩建。本次收购可补齐公司中高压MOS产品布局短板，后续依托双方在产品结构、销售渠道、客户资源及配套服务上的协同效应，将进一步完善功率半导体产品线，提升整体业务竞争力。

行业周期位置与公司增长：国产替代深化，高端赛道需求爆发

2026年上半年，国内半导体分立器件行业正式迈入高端技术攻坚、国产替代深度放量、产能结构优化并行的高质量发展攻坚期。全球分立器件市场规模约380亿美元，同比增长8.5%，行业正式走出前两年周期性下行区间。国内市场依托新能源汽车、光伏储能、AI算力数据中心、低空经济、高端工业自动化五大新兴赛道需求持续扩容，叠加供应链自主可控政策导向下国产替代全面提速。

银河微电作为国内具备IDM一体化完整能力的半导体分立器件核心骨干企业，凭借全产业链自主可控能力、稳定交付保障、完善的体系认证壁垒，在行业“头部集中领跑”的格局下，持续提升市场份额。公司是国内首家加入国际汽车电子协会技术委员会的分立器件企业，IATF16949、AEC-Q101等全套车规认证构成进入主流车企、Tier1供应链的硬性准入壁垒，资质竞争优势突出。

点评分析：业绩高增验证成长逻辑，车规与第三代半导体打开长期空间

银河微电2026年半年报业绩表现亮眼，营收与利润均实现高速增长，尤其是扣非净利润134.78%的同比增幅，远超营收增速，充分验证了公司在车规级产品放量、高端市场突破以及内部运营效率提升等方面的显著成效，业绩增长具有较强的质量和可持续性。

公司核心看点在于：

1. 车规业务高速增长：车规产品营收占比已达35%，成为拉动公司业绩增长的核心动力。随着新能源汽车800V高压平台普及，公司车规SiC MOSFET模块产业化进程加速，有望进一步打开增长空间。

2. 产品结构持续优化：高毛利的第三代半导体器件、智能功率模块、高速光耦等产品逐步导入市场，优化整体盈利结构，对冲传统低端产品价格竞争压力，使得公司在营收增长的同时，盈利能力得到更大幅度的提升。

3. IDM模式优势凸显：全产业链自主可控模式缩短新品研发周期、保障性能一致性、实现成本精细化管控，Clip先进封装、高压芯片工艺迭代带来产品性能升级，产品溢价与客户认可度提升，为公司在激烈的市场竞争中赢得优势。

4. 研发投入转化效率高：公司在第三代半导体、先进封装等领域的研发投入持续转化为产品竞争力，多项重点研发项目取得阶段性突破，为未来发展奠定技术基础，技术壁垒不断筑牢。

5. 扩产与并购并举：高端集成电路分立器件产业化基地建设和收购恒泰柯股权，将进一步完善公司产能布局和产品矩阵，提升综合竞争力，为公司未来持续增长提供有力支撑。

展望未来，在国内半导体分立器件国产替代深化、新能源汽车及光伏储能等下游高景气赛道需求持续拉动下，银河微电凭借其技术研发优势、产品结构优势、客户资源优势及IDM一体化模式优势，有望持续保持高速增长，实现从传统分立器件龙头向车规级高端功率器件、宽禁带半导体优质供应商的升级，长期发展空间广阔。

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